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意法半导体STL52N60DM6 600v STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列的介绍、特性、及应用
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原标题：意法半导体STL52N60DM6 600v STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列的介绍、特性、及应用
意法半导体STL52N60DM6高压n通道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与之前的MDmesh快速一代相比，DM6结合了非常低的恢复电荷(Q(rr))、恢复时间(t(rr))和每个区域R(DS(ON))的出色改进，并具有市场上最有效的切换行为之一，适用于要求最高效率的桥接拓扑和ZVS移相变换器。
特性
极低的R(DS(ON)) /面积和Q(g)和优化的电容剖面轻负荷条件
额定600v至650v BV(DSS)
极高的dv / dt
优化体二极管恢复阶段
优化的柔软
好处
极其高效的性能和增加的功率密度
更鲁棒的功率转换ZVS，全桥和半桥拓扑
更高的操作频率和更好的热管理降低了电磁干扰
责任编辑：David
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