原标题：意法半导体STL52N60DM6 600v STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列的介绍、特性、及应用

意法半导体 STL52N60DM6 是采用 PowerFLAT 8×8 HV 封装的 N 通道 600V STPOWER MOSFET，属于 MDmesh DM6 系列。以下是其介绍、特性及应用：

介绍：

这种高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 MDmesh 快速一代相比，DM6 结合了非常低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr）和每面积 RDS(on)的出色改进，以及市场上最有效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效电桥拓扑和 ZVS 相移转换器。

特性：

• 快速恢复体二极管；

• 与上一代相比，每个区域的 RDS(on)更低，典型值为 72mΩ；

• 低栅极电荷、输入电容和电阻；

• 100%雪崩测试；

• 极高的 dv/dt 耐用性，峰值二极管恢复电压斜率可达 100V/ns，MOSFET dv/dt 耐用性为 100V/ns；

• 齐纳保护；

• 额外的驱动源引脚带来出色的开关性能；

• 连续漏极电流在 TC=25°C 时为 45A，在 TC=100°C 时为 28A；

• 脉冲漏极电流（受安全工作区域限制）达 128A；

• 总功耗在 TC=25°C 时为 174W；

• 存储温度范围为-55°C 至 150°C；

• 工作结温范围较广。

应用：

• 切换应用程序；

• 可用于电动汽车充电桩、电信设备或数据中心电源转换器和太阳能逆变器等领域；

• 适用于全桥和半桥拓扑、零电压开关（ZVS）相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态 dv/dt 的应用和拓扑结构。

MDmesh DM6 系列属于 STPOWER™产品组合，全系共有多款产品，额定输出电流范围较宽，栅极电荷、RDS(ON)电阻有所不同，采用了包括新的低电感无引线 TO-LL、PowerFLAT 8×8 HV、D2PAK、TO-220 和 TO-247 等主流的功率封装，其中 TO-247 配备短引线、长引线或 Kelvin 引脚，适合有精密电流检测需求的应用。该系列产品现已量产。