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意法半导体正式推出第三代STPOWER碳化硅MOSFET

来源: 中电网
2021-12-16
类别:新品快报
eye 26
文章创建人 拍明

原标题:意法半导体正式推出第三代STPOWER碳化硅MOSFET

意法半导体正式推出的第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET,是电力电子领域的一项重要技术突破,尤其在电动汽车和工业市场应用中展现出显著优势。以下是对该产品的详细分析:

一、产品背景与优势

1. 产品背景

  • 意法半导体作为半导体行业的领先企业,一直致力于推动技术创新和产品升级。第三代STPOWER碳化硅MOSFET的推出,是其对高压、高功率密度、高能效需求市场的重要响应。

2. 产品优势

  • 耐高压、耐高温:碳化硅材料具有出色的物理和化学性质,能够承受更高的电压和温度,满足电动汽车和工业应用中的极端条件。

  • 低损耗、体积小:与传统硅基功率器件相比,碳化硅MOSFET具有更低的导通电阻和开关损耗,同时器件体积更小,有助于实现更紧凑、更高效的电力电子系统。

  • 高能效:得益于其优异的性能,碳化硅MOSFET能够显著提高电力转换效率,降低能耗,符合当前绿色、低碳的发展趋势。

二、应用领域

1. 电动汽车市场

  • 随着电动汽车市场的快速发展,对高电压、高功率密度、高能效的电力电子器件需求日益增长。第三代STPOWER碳化硅MOSFET专为电动汽车动力电机逆变器、车载充电机、DC/DC变换器和电子空调压缩机等高端应用设计,有助于提升电动汽车的续航里程和充电效率。

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2. 工业市场

  • 除了电动汽车市场外,第三代STPOWER碳化硅MOSFET还广泛应用于工业领域。它们能够提高驱动电机、可再生能源转换器和储能系统、电信电源、数据中心电源等应用的能效和可靠性,推动工业领域的绿色转型和可持续发展。

三、技术规格与认证

1. 技术规格

  • 第三代STPOWER碳化硅MOSFET的电压范围覆盖650V至2200V,具有业内领先的200°C额定结温。此外,它们还具有极低的开关损耗和随温度变化很小的导通电阻等优异性能。

2. 认证情况

  • 意法半导体已完成第三代SiC技术平台相关标准认证,从该技术平台衍生的大部分产品预计在2021年底前达到商用成熟度。这些产品已获得汽车级(AG)认证,能够满足汽车电子产品的严格要求。

四、市场前景与发展规划

1. 市场前景

  • 随着电动汽车和工业市场的快速发展,对高性能、高可靠性的碳化硅MOSFET需求将持续增长。意法半导体作为该领域的领先企业,其第三代STPOWER碳化硅MOSFET有望在未来市场中占据重要地位。

2. 发展规划

  • 意法半导体正积极扩大其碳化硅MOSFET的生产和制造能力,以满足不断增长的市场需求。同时,公司还将继续推动技术创新和产品升级,为客户提供更加优质、高效的解决方案。

综上所述,意法半导体正式推出的第三代STPOWER碳化硅MOSFET是一款具有显著优势的高性能电力电子器件。它在电动汽车和工业市场应用中展现出巨大的潜力和价值,有望推动相关领域的绿色转型和可持续发展。


责任编辑:David

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