1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、 甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。

19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。

20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管(材料)，NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。

21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80dB，总的电压放大倍数为10000。

22、 三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是硅管(硅、锗)，NPN型，集电极管脚是a。

23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。

25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为4kΩ。

26、为了保证三极管工作在放大区，要求：①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于NPN型三极管，应使VBC<0。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。

28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。

29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。

31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为180°;当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为0。

32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。

33、晶体管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结正偏;工作在放大区时，集电结反偏，发射结正偏。 34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。

35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好。

36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。

37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。

38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。

39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。

40、场效应管从结构上分成结型FET和MOSFET两大类型，它属于电压控制型器件。

41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流型器件。

42、场效应管是电压控制电流器件，只依靠多数载流子导电。

43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。

44、当栅源电压等于零时，增强型FET无导电沟道，结型FET的沟道电阻最小。

45、FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。

46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为甲类。 47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为2W的功率管2只。

48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为甲类，为了消除交越失真常采用甲乙类电路。 49、乙类功放的主要优点是效率高，但出现交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙类。

50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。

51、双电源互补对称功率放大电路(OCL)中VCC=8v，RL=8Ω，电路的最大输出功率为4W，此时应选用最大功耗大于0.8W功率管。

52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。

53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC=0.1。集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。

54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对差模信号具有放大能力，它对 共模信号具有抑制能力。

55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号。

56、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I2≈0.4mA，I3≈0.2mA，则R3≈10kΩ。

57、集成运放通常由输入级、中间级;输出级、偏置级四个部分组成。

58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号;负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。 59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流，同时使输入电阻减小。

60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻。

61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：串联负反馈。②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定：直流负反馈。③稳定输出电流：电流负反馈。

62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压，同时使输入电阻大。

63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F=0.01，则闭环放大倍数100。64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是。

65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。

66、为稳定电路的输出信号，电路应采用负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。

67、理想集成运算放大器的理想化条件是

68、理想运算放大器的理想化条件中有

69、电流源电路的特点是，直流等效电阻小，交流等效电阻大。

70、电流源的特点是输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大。

71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和虚短。

72、理想运算放大器，

73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状态。

74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通滤波器;如果希望500 Hz以下的有用信号，可选用低通滤波器。

75、选取频率高于1000Hz的信号时, 可选用高通滤波器;抑制50 Hz的交流干扰时，可选用带阻滤波器;如果希望抑制500 Hz以下的信号，可选用高通 滤波器。

76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通滤波器;希望抑制50Hz的交流电源干扰，可选用带阻滤波器;如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号，可选用带通滤波器。

77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器及带阻滤波器。

78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下，得出两个重要结论，它们是： 虚断和虚短。

79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路， 输出级大多采用共集 电路。

80、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。

81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为

，相位平衡条件为

82、信号发生器原理是在电路负反馈时

，例如自激电路。在正反馈时

，例如文氏振荡电路。 83、石英晶体振荡器是LC振荡电路的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。

84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是

、其中相位平衡条件是

，n为整数 、为使电路起振，幅值条件是

。

87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是n为整数

。

88、正弦波振荡电路起振的条件是n为整数

。

89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数

，才能满足起振条件。

90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用交流负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。

91、直流电源是将电网电压的交流电转换成直流电的能量转换电路。

92、三端集成稳压器7805输出电压+5V，7915输出电压-15V。

93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、稳压电路和整流电路。稳压集成电路W7810输出电压+10 V。

94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的0.45倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的0.9倍。

95、三端集成稳压器7915的输出电压为-15伏。

96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是输出取样电压。

97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是调整管的的状态不同。

98、小功率稳压电源一般由电源变压器、整流电路、滤波器、稳压电路等四部分构成。

99、幅度失真和相位失真总称为频率失真。

100、串联反馈式稳压电路由调整管、比较放大、基准电压、取样环节四部分组成。

101、 同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等

102、 反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念

103、PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了

104、 高频电路中，必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容)

105、 点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路

106、 硅管正向导通压降0.7V，锗管为0.2V

107、 齐纳二极管(稳压管)工作于反向击穿状态

108、 肖特基二极管(Schottky，SBD)适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低(0.2V)但是反向击穿电压较低，漏电流也较大

109、 光电二极管(将光信号转为电信号)

110、二极管的主要参数：最大整流电流，最大反相电压，漏电流

111、 三极管有发射极(浓度最高)，集电极，基极(浓度最低)。箭头写在发射极上面

112、发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式：共基极，共发射极(最多，因为电流，电压，功率均可以放大)，共集电极。判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出;共集电极，由基极输入，发射极输出;共基极，由发射极输入，集电极输出。

113、三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，(集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域)

114、三极管数学模型：单管电流放大

115、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响(双电源更好)

116、三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好

117、去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路

118、BJT是一种电流控制电流型器件(双极型)，FET是一中电压控制电流器件(单极型)

119、主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。

120、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。其中P型衬底一般与栅极g相连

121、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt)，耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压下工作)

122、N沟道的MOS管需要正的Vds(相当于三极管加在集电极的Vcc)和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe)，而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt

123、MOSFET主要参数：开启电压Vt，夹断电压Vp。极限参数：最大漏极电流Idm，最大耗散功率Pdm

124、MOSFET三种放大电路：共源极放大电路(共射极)，共漏极放大电路(共集电极)，共栅极放大电路(共基极)

125、差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以2。由此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2

126、差分式放大电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这个特性，可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标：共模抑制比Kcmr

127、集成运放的温度漂移是漂移的主要来源

128、集成运放的参数：最大输出电流，最大输出电压

129、VCC是电路的供电电压， VDD是芯片的工作电压

130、放大电路的干扰：1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动(采用稳压电源，输入和输出加上滤波电容)

131、负反馈放大电路的四种组态：电压串联负反馈(稳定输出电压)，电压并联负反馈，电流串联负反馈(稳定输出电流)，电流并联负反馈

132、电压、电流反馈判定方法：输出短路法，设RL = 0，如果反馈信号不存在，为电压反馈，反之，则为电流反馈。

133、串联、并联反馈的判定方法：反馈信号与输入信号的求和方式，若为电压形式，则为串联反馈，若为电流形式，则为并联反馈

134、功率放大电路的类别：甲类(全部)、甲乙类(50%以上)、乙类(50%)(按照输入信号在整个周期流经器件大于0的百分比)

135、RC振荡电路适用于低频，LC振荡电路适用于高频电路

136、电压比较器，时滞比较器，集成电压比较器，方波产生电路，锯齿波产生电路

137、直流稳压电源：电源变压器à整流电路à滤波电路à稳压电路

138、滤波电路：利用电抗元件的储能作用，可以起到很好的滤波作用。电感(串联，大功率)和电容(并联，小功率)均可以起到平波的作用。

139、开关稳压电源与线性电源：线性电源，效率低、发热强、但是输出很稳定。开关电源，效率高、发热一般、但输出纹波大，需要平波

140、开关稳压电源有降压和升压两种，降压中有续流二极管，LC滤波电路。升压中有电感，稳压二极管，电容。