原标题：安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET VMOSFET系列，应用于服务器和电信

安森美（onsemi）发布的高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，在服务器和电信领域具有显著的应用优势。以下是该系列MOSFET的详细介绍：

一、产品发布与特点

• 发布时间：安森美在2021年12月8日发布了新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。

• 主要特点：

1. 高性能与低损耗：这些器件提供卓越的开关特性，使电源能够符合严苛的能效标准，如80 PLUS Titanium，特别是在极具挑战性的10%负载条件下。

2. 出色的开关特性：SUPERFET V系列MOSFET具有较低的门极噪声，有助于降低电磁干扰(EMI)，对服务器和电信系统尤为重要。

3. 增强系统可靠性：强固的体二极管和较高的VGSS(DC ±30 V)增强了系统可靠性。

二、产品优化与版本

• 产品组优化：600 V SUPERFET系列下的三个产品组——FAST、Easy Drive和FRFET，经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

1. FAST版本：在硬开关拓扑结构（如高端PFC）中提供极高能效，并经过优化以提供更低的门极电荷(Qg)和EOSS损耗，实现快速开关。主要器件包括NTNL041N60S5H和NTHL185N60S5H等。

2. Easy Drive版本：适用于硬开关和软开关拓扑结构，包含一个内置门极电阻(Rg)及经优化的内置电容。主要器件如NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z等。

3. FRFET版本：适用于软开关拓扑结构，如移相全桥(PSFB)和LLC。主要优势是快速体二极管，并提供降低的Qrr和Trr。主要器件如NTP125N60S5FZ和NTMT061N60S5F等。

三、应用优势与案例

• 应用优势：

1. 能效提升：SUPERFET V系列MOSFET能够满足80 PLUS Titanium的能效要求，确保服务器和电信设备在高效能状态下运行。

2. 系统可靠性：通过强固的体二极管和高VGSS，提高了系统整体的可靠性和稳定性。

3. 降低电磁干扰：出色的开关特性和较低的门极噪声有助于减少电磁干扰，为服务器和电信系统提供更干净的工作环境。

• 应用案例：这些高性能、低损耗的MOSFET广泛应用于服务器和电信设施的供电系统中，为这些高负载、高能效要求的设备提供可靠的电力支持。

四、公司背景与实力

• 公司简介：安森美（onsemi）是领先的智能电源和智能感知技术供应商，其产品广泛应用于汽车、工业、消费和通信等领域。

• 技术实力：安森美在半导体技术方面拥有深厚的积累和创新实力，不断推出高性能、低功耗的产品以满足市场需求。

综上所述，安森美发布的高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列在服务器和电信领域具有显著的应用优势，为这些领域的设备提供了更高效、更可靠的电力支持。