原标题：不用EUV光刻机也能造5nm芯片？铠侠携手NDP与佳能力推NIL技术

是的，不用EUV光刻机也能造5nm芯片，这得益于铠侠携手NDP（大日本印刷株式会社）与佳能共同力推的NIL（纳米压印微影）技术。

技术背景与优势

• EUV光刻机问题：在半导体制程技术进入5nm节点后，EUV光刻机成为了不可或缺的关键设备。然而，EUV光刻机造价高昂（每台价格超过1亿美元），且仅荷兰ASML一家能够生产供应，产能有限，导致芯片生产成本大幅升高。

• NIL技术应运而生：为解决上述问题，日本存储大厂铠侠联合NDP与佳能，共同研发了NIL技术。该技术可以不使用EUV光刻机，就能将制程技术推进到5nm。

技术特点与优势

1. 降低成本：

• 设备成本：NIL技术的设备投资仅为EUV设备的40%。

• 耗电量：NIL技术的微影制程耗电量可压低至EUV技术的10%。

2. 提升效率：NIL技术的制造工艺较为单纯，相较于EUV光刻技术，其制程更为简洁。

3. 应用前景：

• NAND闪存：铠侠表示，NAND零组件因为采取3D立体堆叠结构，更容易适应NIL技术制程。

• 其他领域：佳能也致力于将NIL量产技术广泛应用于制作DRAM及PC用的CPU等逻辑芯片的设备上，并希望能应用于手机应用处理器等最先进制程上。

研发进展

• 研发历程：从2017年开始，铠侠便与佳能和NDP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发NIL的量产技术。

• 当前进展：铠侠已掌握15nm的制程量产技术，并正在进行15nm以下技术的研发，预计2025年将进一步达成5nm量产目标。

面临的挑战

尽管NIL技术有诸多优点，但在导入量产上仍存在不少问题有待解决，如空气中的细微尘埃容易影响芯片质量，导致瑕疵产生。此外，NIL技术还需要高质量的压印膜版，这种膜版的制备工艺同样复杂。

综上所述，铠侠携手NDP与佳能力推的NIL技术，为半导体行业提供了一种新的可能性，即在不使用EUV光刻机的情况下也能制造出5nm芯片。然而，要实现这一目标，还需要克服一系列技术难题和量产挑战。