三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
原标题:三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产
今日,三星宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米(nm)DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后,又将EUV层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。
三星首款14纳米DRAM
三星首款14纳米DRAM
“通过开拓关键的图案(key patterning)技术,三星活跃全球DRAM市场近三十年。”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示,“如今,三星正通过多层EUV技术,树立了一座新的技术里程碑,实现了更加微型化的14纳米工艺,而这也是传统氟化氩(ArF)工艺无法做到的。在此基础上,三星将继续提供极具差异化的内存解决方案,充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。”
随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围,EUV技术变得越来越重要,因为它能提升图案准确性,从而获得更高性能和更大产量。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层,三星实现了自身最高的单位容量,同时,整体晶圆生产率提升了约20%。此外,与上一代DRAM工艺相比,14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。
根据最新DDR5标准,三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度:高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多。
三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外,三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。