Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器的介绍、特性、及应用
原标题:Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器的介绍、特性、及应用
Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器,目标光通信系统(ROSA/TOSA, SONET,和所有光电子)以及高速数据系统或产品。这些电容器是专为直流阻塞,耦合和旁路接地应用。硅电容器提供低插入损耗,低反射和高相位稳定性从16kHz, UBSC高达67GHz, BBSC高达40GHz, ULSC高达20GHz。这些深沟槽硅电容器已经开发了半导体MOS工艺,允许高可靠性和电容稳定性过电压(0.1%/V)和温度(60ppm/K)。
该组件的工作温度范围从-55°C到+150°C。高温固化过程(超过900°C)产生的纯氧化物提供可靠和可重复的性能。BBSC/UBSC/ULSC系列符合标准的JEDEC组装规则,使产品完全兼容高速自动取放制造操作。这些电容器是rohs兼容的,可与ENIG终端或无铅预碰撞取决于外壳大小。
特性
超宽带性能可达110GHz
无共振允许超低群延迟变化
传输模式下阻抗匹配的超低插入损耗
旁路接地时ESL低,ESR低
电容值对温度、电压、老化稳定性好
高可靠性
与无铅回流焊兼容
规范
1nF到100nF电容范围
±15%电容公差
温度范围
-55°C到+150°C工作
-70°C至+165°C存储
+ 60 ppm / K温度系数
击穿电压11V(DC)或30V(DC)
< 0.001% / 1000小时老化
400µm或100µm高度
应用程序
光电/高速数据
Trans-impedance放大器(TIA)
收发光学组件(ROSA/TOSA)
同步光网络(SONET)
高速数字逻辑
宽带测试设备
宽带微波/毫米波
更换X7R和NP0电容器
低调的应用程序
责任编辑:David
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