EPC扩大了 40 V eGaNFET的产品陈容,新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件


原标题:EPC扩大了 40 V eGaNFET的产品陈容,新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件
EPC(宜普电源转换公司)扩大了其40 V eGaNFET(氮化镓场效应晶体管)的产品阵容,这一新产品系列被设计为高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件。以下是关于这一新产品的详细分析:
一、产品特点
高性能与高效率:
EPC推出的新产品,如EPC2069,具有1.6 mΩ、40 V的典型值,是更高性能的低压器件。
这些器件比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。
高功率密度:
EPC2069非常适合需要高功率密度的应用,包括48 V-54 V输入服务器。
较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作,并在10.6 mm²的微小占位面积内实现高功率密度。
广泛的应用范围:
EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解决方案,范围从500 W到2 kW,效率超过98%。
在初级侧和次级侧使用氮化镓(eGaN)器件可实现超过4000 W/in³的最大功率密度。
二、市场定位与应用
市场定位:EPC2069专为从40 V–60 V转至12 V的LLC DC/DC转换器的次级侧而设计,目前非常普遍用于48 V–54 V输入的服务器,以应对人工智能和游戏等高密度计算应用所需。
应用领域:这些高功率密度的eGaNFET产品不仅适用于电信和网通领域,还广泛应用于计算解决方案,特别是在需要高效能、小体积和高可靠性的场合。
三、产品优势
尺寸与成本效益:
与上一代40 V GaN FET相比,EPC2069的尺寸更小、寄生电感更小和成本更低,从而让设计师实现更高的性能和成本效益。
易于评估与开发:
EPC还提供了如EPC90139开发板等评估工具,这些开发板专为实现最佳开关性能而设计,包含所有关键组件,让工程师易于评估EPC2069等新产品。
四、公司背景与未来展望
公司背景:宜普电源转换公司(EPC)是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。其eGaN®FET及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。
未来展望:EPC将继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。其目标应用不仅限于电信、网通和计算领域,还包括直流-直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等。
综上所述,EPC扩大的40 V eGaNFET产品阵容以其高性能、高效率、高功率密度和广泛的应用范围,在电信、网通和计算领域展现出了强大的竞争力和市场潜力。
责任编辑:David
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