原标题：UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET

UnitedSiC（现为Qorvo的一部分）作为领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商，于2021年推出了业界最佳的6mΩ SiC FET，这一举措显著响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。以下是关于UnitedSiC推出6mΩ SiC FET的详细介绍：

一、产品特点

1. 极低导通电阻（RDS(on)）：

• 该6mΩ SiC FET的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，展示了其在传导效率上的显著优势。

• UnitedSiC还发布了一系列不同导通电阻的SiC器件，包括6、9、11、23、33和44mΩ等多种选项，以满足不同客户的多元化需求。

2. 短路耐受能力：

• 该SiC FET具有业界最优的5μs额定短路耐受时间，能够更好地保护功率器件，配合驱动器短路防护功能，提升系统稳定性和可靠性。

3. 封装形式：

• 产品提供多种封装选项，包括TO-247-4L和TO-247-3L等，这些封装方案为设计人员提供了更大的设计灵活性。

4. 独特技术架构：

• UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，内部集成了一个SiC JFET和一个硅MOSFET，实现了高速、低损耗和高温工作的能力，同时保持了简单、稳定和鲁棒的栅极驱动，并具有集成的ESD保护。

二、性能优势

1. 品质因数（FoM）：

• 在衡量每单位芯片面积的传导损耗的指标RDS(on)×A上，第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。

• RDS(on)×EOSS/QOSS这一FoM在硬开关应用中表现出色，其值仅为最接近的竞争对手值的一半。

• RDS(on)×COSS(tr)这一FoM在软开关应用中至关重要，UnitedSiC的750V器件与竞争对手的650V器件相比，具有显著优势。

2. 热性能：

• 通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺，第4代SiC FET降低了从裸片到外壳的热阻，能够在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，同时保持低芯片温升。

三、应用领域

1. 电动汽车：

• 适用于电动汽车中的牵引驱动器、车载和非车载充电器等，能够显著降低功率损耗并减轻重量。

• 在牵引逆变器应用中，相比传统的IGBT系统，采用UnitedSiC的SiC FET可以在满负载状态下将损耗降低至前者的1/3，在轻载或中载场合时损耗仅为IGBT的1/5~1/6。

2. 可再生能源：

• 适用于可再生能源逆变器、功率因数校正等场合，提高系统效率。

3. IT基础设施：

• 在数据中心PFC和DC/DC转换等应用中，由于UnitedSiC产品采用特有的Casecode结构，客户可以在现有的设计基础下直接切换到SiC，实现效率的提升。

四、总结

UnitedSiC推出的6mΩ SiC FET以其极低的导通电阻、优异的短路耐受能力、多种封装选项和独特的技术架构，在电源设计领域树立了新的标杆。这些产品不仅满足了电源设计人员对高性能、高效率SiC FET的需求，还广泛应用于电动汽车、可再生能源和IT基础设施等多个领域，推动了相关产业的快速发展。