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安森美半导体NTTFS1D8N02P1E n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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原标题：安森美半导体NTTFS1D8N02P1E n通道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
安森美半导体NTTFS1D8N02P1E n通道功率MOSFET具有紧凑的设计和良好的热性能。该MOSFET提供低漏源电阻(R(DS(on)))以最小化传导损耗，低Q(G)和电容以最小化驱动损耗。NTTFS1D8N02P1E MOSFET提供25V漏极到源极电压(V((BR)DSS))和150A最大漏极电流(I(D))。典型的应用包括DC-DC转换器，电力负载开关，笔记本电池管理，电机控制，二次整流，电池管理，和负载点(POL)。
特性
占地面积小的先进电源3.3毫米x 3.3毫米封装技术
低R(DS(on))以减少传导损耗:
1.3欧姆10 v
在4.5 v 1.8欧姆
低Q(G)和电容，以减少驱动器损耗
(BR) 25 V V (DSS)
150年最多I(D)
应用程序
直流-直流转换器
电力负荷开关
笔记本电池管理
电机控制
二次整流
电池管理
装载点(POL)
性能图表
责任编辑：David
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