安森美半导体NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管的介绍、特性、及应用
原标题:安森美半导体NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管的介绍、特性、及应用
安森美半导体NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管设计用于保护高速数据线免受ESD以及对汽车电池的短路情况。这些二极管具有超低电容和低ESD箝位电压。当低R(DS(on)) FET限制信号线上的失真时,NIV1x二极管是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。这些二极管包括短路到电池阻塞和短路到usb V(总线)阻塞集成mosfet。NIV1x ESD suppressor工作在-55°C到150°C的温度范围内,30V漏极到源电压,±10V门极到源电压。这些二极管是理想的使用汽车高速信号对,USB 2.0,和低压差分信号(LVDS)。
特性
低电容
集成场效应管:
短路电池阻塞
短到USB V(总线)阻塞
可湿式侧翼优化自动光学检测装置(AOI)
合格,PPAP能力强
不含Pb、卤素/BFR,符合RoHS要求
NIV前缀汽车和其他应用程序,需要独特的现场和控制变化的要求
规范
NIV1161x:
0.65 pf电容
反向工作电压16V
1μA反向漏电流
NIV1241:
0.66 pf电容
23.5V反向工作电压
0.5μA反向漏电流
工作和存储温度范围为-55℃~ 150℃
30V漏极到源极电压
±10V门源电压
应用程序
汽车高速信号对
USB 2.0
LVDS
位置回路
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。