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罗姆半导体RRR0x0P03HZG小信号汽车mosfet的介绍、特性、及应用
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原标题：罗姆半导体RRR0x0P03HZG小信号汽车mosfet的介绍、特性、及应用
罗姆半导体汽车用mosfet是内置G-S保护二极管的低通阻mosfet。这些mosfet提供-30V漏源到源极电压(V(DSS))和1W功耗(P(D))。RRR030P03HZG MOSFET提供±3A连续漏极电流(I(D))和RRR040P03HZG MOSFET提供±4A I(D)。这些mosfet符合AEC-Q101，并具有无铅镀层。该RRR0x0P03HZG mosfet可在一个TSMT3小表面安装包。这些mosfet适用于DC/DC变换器。
特性
低导通电阻
内置G-S保护二极管
无铅镀铅
AEC-Q101合格
通过无铅认证
小型表面安装包(TSMT3)
规范
漏极-源极电压(V(DSS))
1W功耗(P(D))
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
RRR030P03HZG:
75毫欧最大静态漏源通态电阻(RD(S(on))
连续漏极电流(I(D))
RRR040P03HZG:
最大静态漏源通态电阻(R(DS(on))
±4A连续漏极电流(I(D)
内部线路图
性能图表
责任编辑：David
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