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Power Integrations推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件

来源: 中电网
2021-08-09
类别:新品快报
eye 10
文章创建人 拍明

原标题:Power Integrations推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件

Power Integrations推出的600V Qspeed二极管确实可以替代汽车应用中的SiC(碳化硅)元件,这一产品具有多项显著优势,以下是对其特点及应用的详细分析:

一、产品特点

  1. 低反向恢复电荷(Qrr)

    • 在硅二极管中,这款Qspeed二极管具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)。在25°C时,其Qrr仅为14nC,这一性能是其他同类硅二极管Qrr的一半,甚至优于一些超高速硅二极管。

    • 低Qrr特性使得该二极管在高频开关应用中表现优异,能够有效提升系统效率。

  2. 高性能与成本效益

    • QH12TZ600Q二极管不仅具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能,而且成本更为经济,不会因采用昂贵技术而增加成本。

    • 这一点对于需要控制成本但又追求高性能的汽车制造商来说尤为重要。

  3. 混合PiN-Schottky二极管技术

    • 该二极管采用混合PiN-Schottky二极管技术,实现了高性能。其平滑的反向恢复电流转换特性不仅提高了效率,还降低了电磁干扰(EMI)和峰值反向电压应力。

    • 在车载充电器中用作输出整流管时,无需使用缓冲电路,进一步简化了电路设计。

  4. 紧凑封装与出色散热

    • QH12TZ600Q采用紧凑的2.5kV隔离式TO-220封装,可直接安装到金属散热片上,有利于实现出色的温升性能表现。

    • 这种封装设计不仅节省了空间,还提高了系统的热管理效率。

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二、应用场景

  1. 车载充电器

    • 汽车车载充电器应用需要更高的开关频率以减小体积和重量。Qspeed二极管在提高车载充电器功率因数校正(PFC)级效率的同时,还能显著降低PFC MOSFET的温升。

    • 这使得Qspeed二极管成为车载充电器中替代SiC元件的理想选择。

  2. 其他高效高开关速度设计

    • 除了车载充电器外,Qspeed二极管还适用于其他需要高效高开关速度设计的汽车电子系统。其卓越的性能和成本效益使得它在汽车电子领域具有广泛的应用前景。

三、市场反馈与认可

  • QH12TZ600Q二极管自推出以来,凭借其出色的性能和成本效益,受到了市场的广泛关注和认可。多家汽车制造商和汽车电子供应商已经开始评估并测试该二极管,以期在其产品中实现更高的效率和更低的成本。

综上所述,Power Integrations推出的600V Qspeed二极管凭借其低Qrr、高性能与成本效益、混合PiN-Schottky二极管技术以及紧凑封装与出色散热等特点,在汽车应用中成功替代了SiC元件,并为汽车电子系统的高效化、小型化和轻量化提供了有力支持。


责任编辑:David

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