原标题：安森美半导体NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL n沟道mosfet的介绍、特性、及应用

安森美半导体NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是两款n沟道MOSFET，它们被设计为POWERTRENCH功率夹对称双沟道MOSFET，并采用WQFN12封装技术。以下是对这两款MOSFET的详细介绍、特性及应用领域的分析：

一、介绍

安森美半导体的NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是两款高性能的n沟道MOSFET，它们采用先进的WQFN12封装技术，使得整体尺寸小巧（3mm x 3mm），占地面积小，便于在电路中的放置和路由。这两款MOSFET特别适用于需要高效率电源转换的场合，如DC-DC变换器、通用负载点、单相电机驱动等。

二、特性

1. 低R(DS(on))：这两款MOSFET提供了低导通电阻（R(DS(on))），这有助于减少在导通状态下的功率损耗。具体地，NTTFD4D0N04HL在V(GS) = 10V, I(D) = 10A时的最大R(DS(on))为4.5毫欧，而NTTFD9D0N06HL在相同条件下的最大R(DS(on))为9毫欧。

2. 低Qg和电容：低栅极电荷（Qg）和低电容特性有助于减少驱动损耗，提高整体效率。

3. 配置为半桥：这两款MOSFET被设计为半桥配置，这种配置有助于减少寄生效应，进一步提高性能。

4. 增强型MOSFET：它们都是增强型MOSFET，这意味着它们需要栅极电压高于阈值电压才能导通。