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英飞凌科技1200V PIM IGBT模块的介绍、特性、及应用
来源：
hqbuy
2021-07-08
类别：技术信息
41
拍明
原标题：英飞凌科技1200V PIM IGBT模块的介绍、特性、及应用
英英凌1200V PIM IGBT模块提供TRENCHSTOPIGBT7和EC7二极管技术，基于最新的micro-pattern trench技术。该技术大大降低了损耗，并提供了高水平的可控性。与以前使用的正方形沟槽单元相比，单元概念的特点是实现由亚微米台地分隔的平行沟槽单元。该芯片特别针对工业驱动应用和太阳能系统进行了优化，这意味着更低的静态损耗、更高的功率密度和更软的开关。在英飞凌1200V PIM IGBT模块中，如果将允许的最高工作温度提高到175°C，则可以显著提高功率密度。
特性
过载能力
低通态电压
增强的可控制性
改进的二极管
责任编辑：David
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