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罗姆半导体RSDT27NS暂态电压抑制器的介绍、特性、及应用
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原标题：罗姆半导体RSDT27NS暂态电压抑制器的介绍、特性、及应用
罗姆半导体RSDT27NS瞬变电压抑制器是一个单向电压抑制器,保护敏感的电子设备免受激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)。该电压抑制器具有高可靠性和高过流能力。RSDT27NS是一个3端子的功率模型电压抑制器。该电压抑制器提供5W功耗(P(D))和22V最大反向电压(V(RWM))。RSDT27NS电压抑制器适用于防雷。
特性
单向电压抑制器
权力模具类型
高可靠性
带有3个终端
硅外延平面结构
规范
防止激增低于3600 w (t (p) = 10/1000µs)
5W功耗(P(D))
- 263 s (D (2) PAK)包
22V反向电压V(RWM)(最大值)
10µ反向电流(I (R)) V (R) = 22
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
内部线路图
性能图表
责任编辑：David
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