原标题：亚德诺半导体ADRF5545A射频前端多芯片模块的介绍、特性、及应用

以下是关于亚德诺半导体（Analog Devices，简称ADI）的ADRF5545A射频前端多芯片模块的详细介绍、特性及应用：

一、介绍

ADRF5545A是一款双通道集成式射频（RF）前端多芯片模块，专为工作频率为2.4GHz至4.2GHz的时分双工（TDD）应用而设计。该模块采用双通道配置，集成了级联两级低噪声放大器（LNA）和高功率硅单刀双掷（SPDT）开关，提供了高性能的射频前端解决方案。

二、特性

1. 集成式双通道RF前端：

• 包含两个独立的射频通道，每个通道都具备完整的射频前端功能。

2. 2级LNA和高功率SPDT开关：

• 两级低噪声放大器（LNA）提供高增益和低噪声系数，有助于改善接收机的灵敏度。

• 高功率硅单刀双掷（SPDT）开关提供低插入损耗和高隔离度，确保射频信号的准确传输和接收。

3. 片上偏置和匹配：

• 无需外部偏置电路和匹配网络，简化了电路设计和制造流程。

4. 单电源供电：

• 支持单电源供电，降低了电源管理的复杂性。

5. 高增益和低噪声系数：

• 在高增益模式下，3.6GHz时的增益为32dB（典型值），噪声系数为1.45dB（典型值）。

• 在低增益模式下，3.6GHz时的增益为16dB（典型值），噪声系数仍为1.45dB（典型值）。

6. 高隔离度和低插入损耗：

• RXOUT-CHA和RXOUT-CHB之间的隔离度为47dB（典型值）。

• TERM-CHA和TERM-CHB之间的隔离度为52dB（典型值）。

• 在发射过程中，当射频输入连接到端电极引脚（TERM-ChA或TERM-ChB）时，开关提供0.65dB的低插入损耗。

7. 高功率处理能力：

• 在整个生命周期内，可以处理40dBm的长期演进（LTE）平均功率（9dB峰值/平均值比（PAR））。

• 在单一事件（<10秒）LNA保护模式下，可以处理43dBm的LTE平均功率（9dB PAR）。

8. 高OIP3：

• 输出3阶交调截点（OIP3）为32dBm（典型值），有助于改善接收机的线性度。

9. 低电源电流：

• 在高增益模式下，5V时的电源电流为86mA（典型值）。

• 在低增益模式下，5V时的电源电流为36mA（典型值）。

• 在关断模式下，5V时的电源电流为12mA（典型值）。

10. 正逻辑控制和封装：

• 采用正逻辑控制，方便与数字电路集成。

• 采用符合RoHS标准的紧凑型6mm×6mm 40引脚LFCSP封装，有利于减小电路板空间。

三、应用

1. 无线基础设施：

• 适用于TDD大规模多输入和多输出（MIMO）以及有源天线系统，有助于提高无线通信系统的容量和覆盖范围。

2. 基于TDD的通信系统：

• 如4G LTE、5G NR等基于TDD的通信系统，ADRF5545A可作为高性能的射频前端解决方案。

3. 其他应用：

• 还可用于各种需要高性能射频前端的应用场景，如雷达、卫星通信等。

综上所述，ADRF5545A射频前端多芯片模块具有高性能、高集成度、易于使用等优点，适用于各种需要高性能射频前端的应用场景。