原标题：ISSI LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM低压存储设备介绍_特性_及应用领域

ISSI LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM是低压存储设备，以下是对这两款产品的详细介绍：

一、产品概述

ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM是专为移动设备设计的低压存储器器件，提供2Gb、4Gb和8Gb的存储密度选择。这些设备具有低压内核和I/O电源要求，非常适合用于移动应用。

二、主要特性

1. 低压电源：LPDDR4的工作电压为1.8V，而LPDDR4X的工作电压降至1.1V，低压I/O分别为1.1V和0.6V。这种低压设计有助于降低功耗，延长移动设备的电池寿命。

2. 高速性能：

• 时钟频率范围：10MHz至1600MHz。

• 每个I/O的数据速率高达3200Mbps。

• 使用双数据速率架构，每个时钟周期在I/O引脚上传输两个数据字，实现高速运行。

1. 内部结构：

• 每通道配置有8个内部组，可同时运行，用于并行操作。

• 16n预取DDR架构，数据路径在内部被设计为流水线的形式，预取16n位，以实现非常高的带宽。

2. 可编程特性：

• 具有可编程的读写延迟。

• 可编程和“即时”突发长度的特性，突发长度（BL）可为16或32。

3. 其他功能：

• 片上温度传感器，实现高效自刷新控制。

• ZQ校准功能。

• 可调驱动强度。

• 部分阵列自刷新（PASR）。

三、应用领域

ISSI LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM因其低功耗、高性能和灵活的配置选项，非常适合以下应用领域：

1. 移动计算：如智能手机、平板电脑等移动设备，这些设备对存储器的功耗和性能要求极高。

2. 嵌入式系统：需要低功耗和高性能存储解决方案的嵌入式系统，如可穿戴设备、物联网设备等。

综上所述，ISSI LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM是专为移动设备设计的低压存储设备，具有低功耗、高性能和灵活的配置选项等特点。它们非常适合移动计算和嵌入式系统等应用领域，能够满足这些领域对存储器的严苛要求。