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威世半导体Si6423ADQ P通道20V MOSFET的介绍、特性及技术指标
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原标题：威世半导体Si6423ADQ P通道20V MOSFET的介绍、特性及技术指标
威世半导体Si6423ADQ P通道20V MOSFET的介绍
威世半导体Vishay / Siliconix Si6423ADQ P通道20V MOSFET采用TSSOP-8封装，提供-20V的漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量等级。Si6423ADQ MOSFET具有单一配置设计，无卤素，符合RoHS要求，并经过100％R g和UIS测试。
威世Si6423ADQ P沟道20V MOSFET是负载开关，电池开关和电源管理的理想选择。
Si6423ADQ P通道20V MOSFET特征
TrenchFET功率MOSFET
经过100％R g和UIS测试
符合RoHS
无卤素
单一配置
TSSOP-8封装
应用领域
负载开关
电池开关
能源管理
Si6423ADQ P通道20V MOSFET技术指标
-20V DS漏源电压
±8V栅源电压
-70A脉冲漏极电流
-20mJ单脉冲雪崩能量
5875pF输入电容
540pF输出电容
最大栅极电阻7.2Ω
-55°C至+ 150°C的工作温度范围
责任编辑：David
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