原标题：泛林集团全新干膜光刻胶技术突破技术瓶颈，满足下一代器件的缩放需求

泛林集团全新干膜光刻胶技术的突破，确实为满足下一代器件的缩放需求提供了有力的技术支持。以下是对该技术的详细分析：

一、技术背景与需求

随着芯片制造商开始转向更先进的技术节点，芯片的特征尺寸愈发精细，这对光刻胶技术提出了更高的要求。传统的光刻胶技术，如化学放大光刻胶（CAR），在5nm节点之后已面临重大瓶颈，无法满足更精细特征的制造需求。因此，业界迫切需要一种创新的光刻胶解决方案，以平衡EUV光刻技术的成本和设计难度，并将其拓展至未来的工艺节点。

二、技术突破与创新

泛林集团与ASML和imec合作，研发出了一种完全不同于旋转涂胶的突破性光刻胶技术——干膜光刻胶技术。这种技术通过使用气相的反应前体，能够制出均匀且一致的薄膜，具有多项显著优势：

1. 高效光子捕获：

• 当前的EUV光源波长更短，产生的光子数量成倍减少。而干膜光刻胶技术的重要特征就是可以通过高密度光敏粒子框架更加有效地捕获光子，从而提高了光刻效率。

2. 高分辨率：

• 由于采用完全不同于CAR中链式反应的曝光机制，新技术的分辨率也更高。在国际光学工程学会（SPIE）的先进光刻技术研讨会上，展示了利用该技术在26nm间距上成功实现成像的成果，最佳Z因子小于1x10^-8 mJ nm³，这证明了其高分辨率的能力。

3. 优化参数：

• 干法沉积的一大特点是只需改变沉积和显影时间就可以改变光刻胶厚度，相比之下，改变旋转涂胶厚度的难度要大得多。使用干式方法，可以同时优化干膜厚度、光子吸收、转移刻蚀和底层粘附，从而摆脱必须权衡线边缘粗糙度（LER）、敏感度和缺陷/器件良率的难题。

4. 材料纯度与敏感度：

• 干膜光刻胶技术不受粘度、化学保质期等限制因素的影响。由于不再需要添加用来控制粘附性或稳定性的添加剂，干法沉积获得的材料纯度更高，因此敏感度也更高，且非常适合之后的干法显影工艺。

三、技术优势与应用前景

1. 技术优势：

• 干膜光刻胶技术打破了RLS折衷关系（即分辨率、线边缘粗糙度和敏感度之间的权衡关系），实现了参数的同时优化。

• 该技术具有更高的材料纯度和敏感度，以及更长的无塌陷工艺窗口期，有利于减少线条和柱状图形的塌陷。

2. 应用前景：

• 泛林集团的干膜光刻胶和显影技术能加速业界转向满足未来节点要求的EUV光刻应用。

• 该技术使得面向高级逻辑和内存器件的持续缩放成为可能，有助于推动半导体行业的进一步发展。

综上所述，泛林集团的全新干膜光刻胶技术是一项具有重大突破性的创新技术，它满足了下一代器件缩放的需求，为半导体行业的发展注入了新的活力。