0 卖盘信息
BOM询价
您现在的位置: 首页 > 电子资讯 >新品快报 > Vishay推出具有超低电容的两线ESD保护二极管

Vishay推出具有超低电容的两线ESD保护二极管

来源: 中电网
2021-04-20
类别:新品快报
eye 25
文章创建人 拍明

原标题:Vishay推出具有超低电容的两线ESD保护二极管

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)今天宣布,推出小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。


日前发布的器件典型负载电容仅为0.37 pF,适用于USB 2.0、USB 3.0以及HDMI端口保护等商业应用。对于汽车应用,VBUS05M2-HT5还提供AEC-Q101认证版器件。这个保护二极管在± 5.5 V工作电压下的最大漏电流小于0.1 μA,在1 mA反向电流条件下典型击穿电压为8.5 V,在3.4 A峰值脉冲电流条件下最高钳位电压为18 V。


VBUS05M2-HT5数据线瞬态保护达到IEC61000‑4‑2规定的± 20 kV(空气和接触放电)。器件潮湿敏感度(MSL)达到J-STD-020标准1级,耐火等级达到UL 94 V-0。保护二极管符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,支持汽车系统自动光学检测(AOI)。

 

器件规格表:

产品订货编号

封装

类型

VRWM

电容

VBUS05M2-HT5-G3-08

DFN1110-3A

商用

± 5.5 V

0.45 pF

VBUS05M2-HT5HG3-08

DFN1110-3A

AEC-Q101

± 5.5 V

0.45 pF


VBUS05M2-HT5现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。



责任编辑:David

【免责声明】

1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。

2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。

3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。

4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。

拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。

相关资讯