原标题：ST推出新款MasterGaN4器件，实现高达200瓦的高能效功率变换

ST（意法半导体）推出的新款MasterGaN4器件，确实实现了高达200瓦的高能效功率变换。以下是对该器件的详细介绍：

一、产品概述

MasterGaN4是意法半导体MasterGaN系列的最新产品，集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓（GaN）功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能。这款器件旨在简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

二、主要特点

1. 高性能GaN晶体管：

• MasterGaN4内部的GaN晶体管具有出色的开关性能，工作频率更高，能效更高，散热发热更少。

• 设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，从而设计出更小、更轻的电源、充电器和适配器。

2. 优化的栅极驱动器：

• MasterGaN4集成了优化的栅极驱动器，解决了复杂的栅极控制和电路布局难题。

• 栅极驱动器的高侧可以容易地由集成自举二极管提供。

3. 电路保护功能：

• MasterGaN4内置了多种保护功能，包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定（UVLO）以及过热保护，可进一步简化应用设计。

• 还有一个专用的关断引脚，方便用户进行关断操作。

4. 宽电源电压范围：

• MasterGaN4的输入容许电压为3.3V~15V，可以直接连接到控制器，如霍尔效应传感器、微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。

• 4.75V~9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。

5. 封装与安全性：

• MasterGaN4采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，体积小巧。

• 超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。

三、应用领域

MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，如有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。此外，它还可应用于开关模式电源、充电器和适配器、高压PFC、DC-DC和DC-AC转换器等。

四、总结

ST推出的新款MasterGaN4器件以其高性能的GaN晶体管、优化的栅极驱动器、丰富的电路保护功能以及宽电源电压范围等特点，为高达200W的高能效功率变换应用提供了理想的解决方案。该器件不仅简化了设计流程，还提高了系统的能效和可靠性，具有广阔的应用前景。