原标题：SJ－MOS技术加成，维安全新MOSFET让Rdson更低

SJ-MOS（Super Junction-MOS）技术是一种先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）制造技术，它通过优化器件结构，显著降低了导通电阻（Rdson），提高了器件的性能和效率。维安（WAYON）作为电路保护元器件及功率半导体提供商，通过SJ-MOS技术的加成，推出了全新的MOSFET产品，实现了更低的Rdson。以下是对SJ-MOS技术及其在维安全新MOSFET中应用的具体分析：

一、SJ-MOS技术原理及优势

1. 原理

• SJ-MOS技术通过在MOSFET的漂移区内引入交替排列的P型和N型掺杂区域，形成超结结构，从而提高了器件的击穿电压并降低了导通电阻。

2. 优势

• 更低的导通电阻：SJ-MOS技术通过优化器件结构，显著降低了Rdson，减少了功率损耗，提高了器件的效率。

• 更高的电压承受能力：超结结构使得SJ-MOS器件能够承受更高的电压，适用于高功率、高电压的应用场景。

• 更小的封装体积：在同等电压和电流要求下，SJ-MOS的芯片面积比传统MOS更小，具备空间优势，有利于功率密度的提高。

二、维安全新MOSFET的Rdson降低

维安通过多年的SJ-MOS技术研发创新，成功开发出了行业内超低导通电阻的产品。例如，维安的WMJ120N60CM产品，采用常规TO-247封装的600V高压SJ-MOS，其Rdson低至16.5mΩ，相较于传统MOSFET产品，具有显著的性能提升。

三、维安全新MOSFET的应用

维安的全新MOSFET产品主要面向高功率电源模块，如新能源汽车地面充电桩模块电源、通信电源和高功率充电机等行业。这些行业对器件的性能和效率有着极高的要求，而维安的SJ-MOS技术正好满足了这些需求。

1. 新能源汽车充电桩：新能源汽车充电桩需要承受高功率和高电压的冲击，同时要求器件具有高效能和低损耗。维安的SJ-MOS技术MOSFET产品正好满足了这些要求，为新能源汽车充电桩提供了可靠的解决方案。

2. 通信电源：通信电源需要保证稳定可靠的供电，同时要求器件具有低功耗和高效率。维安的SJ-MOS技术MOSFET产品降低了功耗，提高了效率，为通信电源提供了更好的性能保障。

四、总结

SJ-MOS技术是一种先进的MOSFET制造技术，通过优化器件结构显著降低了导通电阻，提高了器件的性能和效率。维安通过多年的技术研发创新，成功推出了采用SJ-MOS技术的全新MOSFET产品，实现了更低的Rdson和更高的性能。这些产品在高功率电源模块等行业中得到了广泛应用，为这些行业提供了可靠、高效的解决方案。