上海临港发布第三代半导体支持政策:建设世界级 “东方芯港”


原标题:上海临港发布第三代半导体支持政策:建设世界级 “东方芯港”
上海临港新片区为了推动第三代半导体产业的发展,发布了相关支持政策,并致力于建设世界级的“东方芯港”。以下是对该政策及其目标的详细解读:
一、政策背景与目标
上海临港新片区发布了《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区集成电路产业专项规划(2021-2025)》(简称《规划》),明确提出了将上海临港建设成为世界级的“东方芯港”的目标。《规划》旨在通过推进重大项目落地建设,形成新片区集成电路综合性产业创新基地的基础框架,并构建起高水平产业生态,最终成为具有全球影响力的“东方芯港”。
二、主要发展目标
产业规模:
到2025年,集成电路产业规模突破1000亿元,芯片制造、装备材料主导地位进一步加强,芯片设计、封装测试形成规模化集聚。
人才集聚:
汇聚超过2-5万名硕士以上学历的集成电路从业人员,为产业发展提供坚实的人才支撑。
企业培育:
引进培育5家以上国内外领先的芯片制造企业;
形成5家年收入超过20亿元的设备材料企业;
培育10家以上的上市企业,并围绕5G、CPU、人工智能、物联网、无人驾驶等细分领域发展壮大一批独角兽设计企业。
高质量发展:
园区集成电路产业投资强度达到1500万元/亩,产出强度达到1500万元/亩,确保产业的高效益和可持续发展。
三、重点支持领域
EDA设计工具及关键IP:
积极引进国内外EDA工具/IP企业,支持其与龙头设计、代工企业合作开发工艺套件。
支持针对汽车电子、5G、工业互联网等重点领域的EDA工具/IP开发。
关键核心芯片:
针对智能网联新能源汽车、工业互联网、高端装备等临港重点产业,配套关键核心芯片。
加强供应链安全需求,推动自主核心芯片研发,打造系统解决方案。
高端芯片:
面向AI、5G射频、功率芯片、相变存储器(PCRAM)、阻变存储器(RRAM)等新兴领域,实现增量发展。
智能传感芯片:
聚焦物联网及智能终端、无人驾驶、智慧医疗、工业互联网等重点应用领域。
推动自主智能传感器产品创新及商业化应用。
四、具体措施与进展
推进工艺线建设:
推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设,面向5G、新能源汽车等应用场景,加快化合物半导体产品验证应用。
引进先进项目:
积极对接引进国内最先进工艺线放大项目,以及磁存储器(MRAM)、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地。
打造特色工艺高地:
坚持市场需求与技术开发相结合,推动BCD、IGBT、CIS、MEMS等特色工艺研发与产业化。
产业链构建:
初步构建了宽禁带半导体全产业链发展格局,涵盖碳化硅、氮化镓等类型,覆盖衬底、制造、设计、设备、封测、模组、应用等全领域。
产业协同创新:
依托龙头企业联合高校,建设大企业创新联合体。
引进高能级科研平台和检测机构,支持建设检测认证平台。
应用推广与补贴:
加速碳化硅功率器件上车应用,推动整车企业与本土碳化硅芯片设计及模组企业对接。
对采购国产碳化硅器件的给予一定补贴。
综上所述,上海临港新片区通过发布第三代半导体支持政策,明确了建设世界级“东方芯港”的目标,并提出了具体的产业发展规划、重点支持领域以及一系列具体措施。这些政策的实施将有助于推动上海临港乃至全国第三代半导体产业的快速发展。
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