原标题：Kioxia和西部数据宣布推出第六代162层3D闪存技术

Kioxia（铠侠）和西部数据确实宣布推出了第六代162层3D闪存技术，以下是关于该技术的详细介绍：

一、技术背景与发布

在ISSCC 2021中，Western Digital Corporation（西部数据公司）宣布与Kioxia（铠侠）联手研发出第六代162层3D NAND Flash。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑，也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。

二、技术特点与优势

1. 高堆叠层数：与第五代的112层堆叠架构相比，第六代产品进一步提升至162层堆叠架构。这种高堆叠层数的设计使得晶圆尺寸减小约40%，从而降低了成本。

2. 高密度与低成本：第六代3D NAND Flash横向单元阵列密度较第五代提高了约10%。同时，新技术降低了单位成本，并使每个晶圆可制作多70%容量的NAND Flash。

3. 高性能：采用了阵列CMOS电路布局及四路同时工作等新技术，处理性能可望提高近2.4倍，读取延迟减少约10%，I/O性能也提高了约66%。

三、生产与应用

1. 合资工厂：Kioxia和西部数据在日本四日市的合资工厂Fab7具备生产第六代162层闪存和未来先进3D闪存的能力。该工厂于2022年竣工，计划于2023年初开始出货162层闪存。

2. 市场应用：虽然厂商已陆续采用第六代3D NAND Flash产品，但市场上的NVMe SSD主要仍是使用第四代3D NAND Flash。然而，随着技术的不断成熟和成本的进一步降低，第六代3D NAND Flash有望在更广泛的领域得到应用。

四、技术竞争与行业影响

1. 技术竞争：在3D NAND闪存技术领域，各大厂商都在不断推陈出新。例如，美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND。这些新技术的推出加剧了市场竞争，推动了行业的快速发展。

2. 行业影响：Kioxia和西部数据推出的第六代162层3D闪存技术将对整个存储行业产生深远影响。它不仅提高了存储密度和性能，还降低了成本，为消费者和企业提供了更加优质、高效的存储解决方案。同时，该技术的推出也将进一步推动自动驾驶、人工智能等新兴领域的发展。

综上所述，Kioxia和西部数据推出的第六代162层3D闪存技术是一项具有里程碑意义的技术创新。它将为存储行业带来新的发展机遇和挑战，同时也将推动整个行业的快速发展和变革。