Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效
原标题:Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效
日前,VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出十款新型650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。
日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。
器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流为4 A~40 A,可在+175 °C高温下工作。
器件规格表:
产品编号 | IF(AV) (A) | VRRM (V) | 25 °C, 10 ms下IFSM (A) | IF和TJ下VF (典型值) | TJ最大值 (°C) | 封装 | ||
VF (V) | IF (A) | TJ (°C) | ||||||
VS-C04ET07T-M3 | 4 | 650 | 26 | 1.75 | 4 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
VS-C06ET07T-M3 | 6 | 650 | 39 | 1.7 | 6 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
VS-C08ET07T-M3 | 8 | 650 | 57 | 1.7 | 8 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
VS-C10ET07T-M3 | 10 | 650 | 68 | 1.75 | 10 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
VS-C12ET07T-M3 | 12 | 650 | 80 | 1.65 | 12 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
VS-C16ET07T-M3 | 16 | 650 | 120 | 1.65 | 16 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
VS-C20ET07T-M3 | 20 | 650 | 160 | 1.6 | 20 | 150 | 175 | 2L TO-220AC |
VS-C16CP07L-M3 | 16 | 650 | 53 | 1.7 | 8 | 150 | 175 | TO-247AD 3L |
VS-C20CP07L-M3 | 20 | 650 | 64 | 1.75 | 10 | 150 | 175 | TO-247AD 3L |
VS-C40CP07L-M3 | 40 | 650 | 160 | 1.55 | 20 | 150 | 175 | TO-247AD 3L |
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。
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