原标题：泛林集团推出革命性的新刻蚀技术，推动下一代3D存储器件的制造

泛林集团（Lam Research）作为半导体设备领域的领军企业，确实推出了多项革命性的新刻蚀技术，这些技术对于推动下一代3D存储器件的制造具有重要意义。以下是对泛林集团推出的新刻蚀技术的详细归纳：

一、Vantex™介电质刻蚀技术

1. 技术特点：

• 基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位，Vantex™为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供了更高的性能和更大的可延展性。

• 全新腔室设计能够以更高的射频（RF）功率刻蚀更高深宽比的器件，提升产能并降低成本。

• 更高的功率和射频脉冲技术的结合可以实现严苛的CD（关键尺寸）控制，从而改进器件功能。

• 控制了刻蚀的垂直角度，以满足3D器件结构设计密度要求，并在整个300mm晶圆上实现高良率。

2. 应用场景：

• 助力芯片制造商推进3D NAND和DRAM的技术路线图，应用于智能手机、显卡和固态存储驱动等。

二、选择性刻蚀产品组合

泛林集团还推出了三款开创性的选择性刻蚀产品：Argos®、Prevos™和Selis®，这些产品旨在补充和扩展泛林集团的刻蚀解决方案组合。

1. Argos®：

• 提供革命性全新选择性表面处理方式。

• 创新的MARS™（亚稳态活性自由基源）可以产生非常温和的自由基等离子体，这是先进逻辑应用中高度选择性表面改性所必需的。

2. Prevos™：

• 采用化学蒸汽反应器，用于极低能量下高精度的选择性刻蚀。

• 泛林集团开发了一种全新专有化学催化剂，专门用于要求极高选择性的应用，如天然氧化物突破、精密修整和凹槽。

3. Selis®：

• 通过使用低能量自由基源控制等离子体，将能量调谐提升到一个全新的水平。

• 具有极低的能量处理模式，专为选择性必须超高的极端应用而设计，例如对于形成GAA（环栅）结构非常关键的SiGe选择性刻蚀步骤。

三、Lam Cryo 3.0低温电介质蚀刻技术

1. 技术特点：

• 经过优化，可解决1000层3D NAND所带来的蚀刻挑战。

• 采用了泛林集团独特的高功率受限等离子反应器、工艺改进和远低于0摄氏度的温度，从而可以利用新的蚀刻化学成分。

• 当与泛林集团最新的Vantex®介电系统的可扩展脉冲等离子技术相结合时，蚀刻深度和轮廓控制显著提高。

2. 应用场景：

• 满足高性能、高密度NAND闪存的需求，推动3D NAND向更高层数发展。

四、技术影响与意义

1. 推动技术创新：泛林集团的新刻蚀技术不仅提升了刻蚀的精度和效率，还推动了半导体制造技术的整体创新。

2. 促进产业发展：这些技术为下一代3D存储器件的制造提供了有力支持，有助于提升存储器件的性能和容量，满足市场对高性能存储的需求。

3. 环保与可持续性：部分新技术如Lam Cryo 3.0还注重环保和可持续性，通过降低能耗和减少排放量来减少对环境的影响。

综上所述，泛林集团推出的新刻蚀技术在推动下一代3D存储器件的制造方面发挥了重要作用，不仅提升了技术水平和生产效率，还有助于促进半导体产业的持续发展和创新。