原标题：Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET

Nerissa Draeger博士确实提出了全包围栅极（GAA）结构将取代鳍式场效应晶体管（FinFET）的观点。以下是对这一观点及其背景信息的详细分析：

一、FinFET的局限性

FinFET在22nm节点的首次商业化，为晶体管制造带来了颠覆性变革。与之前的平面晶体管相比，FinFET通过“鳍”与栅极三面接触形成的通道，使得通道更容易控制。然而，随着技术进步到3nm和5nm技术节点，FinFET面临了诸多挑战：

1. 驱动电流受限：随着CMOS设计的发展，标准单元的轨道高度不断降低，导致“鳍”的尺寸受到限制。基于5nm以下节点制造的单鳍器件将无法提供足够的驱动电流。

2. 短沟道效应：虽然“鳍”的三面均受栅极控制，但仍有一侧是不受控的。随着栅极长度的缩短，短沟道效应变得更明显，导致更多电流通过器件底部无接触的部分泄露。

二、全包围栅极（GAA）结构的优势

全包围栅极结构是一种经过改良的晶体管结构，其中通道的所有面都与栅极接触。这种结构具有以下优势：

1. 易于控制：GAA晶体管的通道更容易控制，因为所有面都与栅极接触。

2. 载流能力强：与FinFET相比，GAA晶体管只需多垂直堆叠几个纳米薄片并让栅极包裹通道，就能够获得更强的载流能力。

3. 连续缩放：GAA结构可以实现连续缩放，只需缩放纳米薄片就可以调整获得满足特定性能要求的晶体管尺寸。

三、GAA晶体管的制造挑战

尽管GAA晶体管具有诸多优势，但其制造也面临一些挑战：

1. 结构复杂性：制造GAA晶体管需要先用Si和SiGe外延层交替构成超晶格，并作为纳米薄片结构的基础。之后需要将电介质隔离层沉入内部，并通过刻蚀去除通道的牺牲层。

2. 新材料需求：随着技术进步和特征尺寸持续降低，GAA晶体管可能需要使用新的金属材料，如钴、钌、钼、镍和各种合金。

四、GAA结构取代FinFET的展望

根据Nerissa Draeger博士的观点，GAA晶体管终将取代FinFET。GAA结构应该能够适用于当前已经纳入规划的所有先进工艺节点。随着技术进步和制造工艺的改进，GAA晶体管将逐渐克服其制造挑战，并在未来成为主流晶体管结构。

综上所述，Nerissa Draeger博士提出的全包围栅极结构将取代FinFET的观点是基于FinFET在先进工艺节点面临的局限性和GAA结构的优势。随着技术进步和制造工艺的改进，GAA晶体管有望在未来成为主流晶体管结构。