原标题：意法半导体MasterGaN系列新增优化的非对称拓扑产品

意法半导体MasterGaN系列新增的优化非对称拓扑产品是MasterGaN2。以下是对该产品的详细介绍：

一、产品概述

MasterGaN2是意法半导体基于MasterGaN平台推出的双非对称氮化镓（GaN）晶体管产品，它提供了适合软开关和有源整流转换器拓扑结构的集成GaN解决方案。

二、主要特点

1. 非对称拓扑结构：

• MasterGaN2采用了双非对称GaN晶体管设计，每个晶体管的导通电阻RDS(on)不同，分别为150mΩ和225mΩ，这种设计有助于优化电路性能。

2. 集成栅极驱动器：

• 每个晶体管都集成了优化的栅极驱动器，使得GaN晶体管的使用变得像普通硅器件一样便捷易用。

3. 高能效：

• 通过将先进集成技术与GaN固有性能优势相结合，MasterGaN2进一步提升了有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效。

4. 小体积和轻量化：

• MasterGaN2的电力系统级封装（SiP）系列在同一封装中整合了两个GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和配套的高压栅极驱动器，并内置了所有必要的保护机制。这种集成方案有助于减小适配器和快充充电器的体积和重量。

5. 输入兼容性：

• MasterGaN2输入兼容3.3V至15V的逻辑信号，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。

6. 高功率密度：

• 该集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度，满足现代电子设备对高功率密度的需求。

7. 内置保护功能：

• MasterGaN2内置了高低边欠压锁定（UVLO）、栅极驱动器互锁、专用关闭引脚和过热保护等保护功能，提高了电路的可靠性和安全性。

三、应用领域

MasterGaN2适用于多种应用领域，包括但不限于：

1. 快充充电器：

• GaN技术正在推动USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。MasterGaN2可使这些充电器缩小体积80%，减重70%，而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

2. 电源管理：

• MasterGaN2的高能效和小体积特性使其成为电源管理系统的理想选择，有助于提高系统的整体性能和可靠性。

3. 工业应用：

• 在工业应用中，MasterGaN2可用于电机驱动、电源转换等领域，提供高效、可靠的解决方案。

四、总结

意法半导体推出的MasterGaN2是一款针对非对称拓扑结构进行优化的GaN晶体管产品。它具有高能效、小体积、轻量化、高功率密度和内置保护功能等特点，适用于快充充电器、电源管理和工业应用等领域。MasterGaN2的推出进一步丰富了意法半导体的MasterGaN系列产品线，为用户提供了更多样化的选择。