原标题：Teledyne e2v HiRel的650 V系列产品新增两款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel的650V系列产品确实新增了两款大功率GaN HEMT，以下是关于这两款产品的详细介绍：

一、产品概述

Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管），分别是TDG650E30B和TDG650E15B。这两款产品分别提供30A和15A的较低电流性能，而此前推出的第一款650V产品TDG650E60则提供60A的电流。

二、产品特点

1. 高电压：这两款650V GaN HEMT是市面上电压最高的GaN功率器件，适用于要求严格的高可靠性军事、航空电子和太空应用。

2. 高性能：器件配有底部冷却装置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低电感GaNPX®封装，提供大于100Mhz的超高频率开关、快速且可控制的下降和上升时间、反向电流能力等。

3. 高可靠性：这些器件经过严格的可靠性和电气测试，包括硫酸测试、高空模拟、动态老化、环境温度高达175°C的阶跃应力、9伏栅极电压以及全温度测试，以确保关键任务的成功。

4. 低结壳热阻：TDG650E15B和TDG650E30B均为增强型硅上GaN功率晶体管，可实现大电流、高压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结壳（junction-to-case）热阻。

5. 耐辐射封装：氮化镓器件已经革新了其他行业的功率转换元件，现在以耐辐射的塑料封装推出，这种封装经过严格的可靠性和电气测试以确保关键任务的成功。

三、应用场景

这些新型GaN HEMT是诸如电源、电机控制和半桥拓扑等应用的理想之选，为客户提供了关键航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。

四、市场意义

1. 技术创新：Teledyne e2v HiRel通过推出这两款新产品，进一步巩固了其在高功率GaN HEMT领域的领先地位。

2. 客户受益：这些新器件更小的封装将使从事最高功率密度项目设计的客户真正受益，有助于他们开发出更高效、更可靠的电子产品。

综上所述，Teledyne e2v HiRel的650V系列产品新增的两款大功率GaN HEMT具有显著的技术优势和市场应用前景，将为客户提供更高效、更可靠的电子产品解决方案。