原标题：NV－SRAM与BBSRAM之间的比较

NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）与BBSRAM（电池供电SRAM，又称BatRAM）是两种不同的存储器技术，它们在多个方面存在显著的差异。以下是对这两种存储器技术的详细比较：

一、基本组成与工作原理

1. BBSRAM：

• BBSRAM是嵌入式单封装中多个芯片和电池元件的组合。它包含一个标准的SRAM、电压传感器、开关芯片以及锂电池。

• 当供电电压（VCC）低于指定电压电平时，内部电池将被激活以维持存储器中的内容，直到VCC恢复到有效电平。

2. NV-SRAM：

• NV-SRAM是一种快速静态RAM（SRAM），每个存储器单元中都包含非易失性单元。

• 它采用SONOS（硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅）技术，将嵌入式非易失性单元制造成可靠的非易失性存储器。

• 在断电时，通过使用VCAP引脚上连接的小型电容上保存的电荷，将数据从SRAM中自动转移到非易失性单元中（自动存储操作）。加电时，数据会从非易失性存储器单元重新存储到SRAM内（加电回读操作）。

二、性能与特点

1. 访问速度：

• BBSRAM的访问时间通常在70ns至100ns之间。

• NV-SRAM的访问时间更快，被指定为20ns至45ns。

2. 耐用性：

• SRAM能够实现无限次的读写周期，BBSRAM和NV-SRAM都继承了这一特性。

• NV-SRAM还具有非易失性，能够在断电时保存数据。

3. 电路板空间与厚度：

• 由于BBSRAM需要集成电池，因此其体积通常比NV-SRAM更大、更厚。

• NV-SRAM是一个单片解决方案，带有一个小型的外部电容，占用更小的电路板空间和厚度。

4. 可靠性：

• 电池的寿命是有限的，且存在腐蚀和卡子移位等问题，可能影响BBSRAM的可靠性。

• NV-SRAM不依赖电池，因此具有更高的可靠性。

5. 环保与标准符合性：

• BBSRAM中的电池可能不符合RoHS（欧盟有害物质限用指令）标准。

• NV-SRAM不带电池，符合RoHS标准。

三、应用场景

1. BBSRAM：

• 适用于需要每秒数千次访问速度且对体积要求不高的场景。

• 由于其包含电池，因此在某些环境条件下（如高温或低温）可能需要额外的考虑。

2. NV-SRAM：

• 非常适合需要快速写入速度、高耐用性和即时非易失性的高性能应用。

• 如可编程逻辑控制器（PLC）、智能仪表和网络路由器等数据记录应用。

四、总结

综上所述，NV-SRAM在访问速度、电路板空间占用、可靠性、环保与标准符合性等方面相对于BBSRAM具有显著优势。而BBSRAM则主要适用于对访问速度有极高要求且对体积要求不高的场景。在选择存储器技术时，应根据具体的应用场景和需求进行权衡。