原标题：UnitedSiC推首款750V SIC FETs 性能取得突破性发展

UnitedSiC推出的首款750V SiC FETs在性能上确实取得了突破性发展，以下是对其性能特点的详细归纳：

一、电压等级与导通电阻

• UnitedSiC是业界第一个推出750V SiC FET的公司，与650V的元器件相比，750V SiC FET有更低的导通损耗。

• 750V SiC FET的导通电阻（RDS(on)）范围广泛，从6mOhm至60mOhm不等，为设计人员提供了更大的灵活性，可以优化系统的效率、热管理复杂性和成本。

二、封装与热性能

• 750V SiC FET采用TO-247-3L和TO-247-4L插入式封装，以及低电感的表面贴装D2PAK-7L封装，提供6.7mm的高压爬电距离。

• 采用先进的晶圆减薄和银烧结芯片贴装技术，显著提升了热性能。

三、品质因数与性能优势

• UnitedSiC利用业界最佳的导通电阻x面积（RDS(on) x A），在一系列功率水平和封装选项中扩展了其SiC FET产品组合，提供一流的品质因数（FoM）。

• 750V SiC FET在硬开关和软开关电路中都能提高效率，具有极低的RDS(on)和优秀的反向恢复特性。

四、应用领域与市场前景

• 750V SiC FET旨在加速在汽车充电、工业充电、电信整流器、数据中心PFC直流转换、可再生能源和储能应用中采用宽带隙器件。

• 由于其卓越的性能和广泛的应用领域，750V SiC FET具有广阔的市场前景。

五、技术特点与创新

• UnitedSiC的750V SiC FET是第4代技术产品，具有一流的RDS(on) x Area，同时改善了给定RDS(on)的Qrr和Eon/Eoff损失，降低了Coss(er)/Eoss和Coss(tr)。

• 保持0至12V栅极驱动器，阈值电压VTH=5V，同时保持所有典型SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器的运行能力。

• 750V SiC FET具有更低的二极管压降VF和出色的反向恢复特性，降低了死区损耗并提高了效率。

综上所述，UnitedSiC推出的首款750V SiC FETs在性能上取得了显著突破，具有广泛的应用领域和市场前景。其技术特点和创新使得该产品在硬开关和软开关电路中都能表现出色，为设计人员提供了更多的选择和灵活性。