原标题：辐射发射测试：如何避免采用复杂的EMI抑制技术以实现紧凑、高性价比的隔离设计

在辐射发射（RE）测试中，通过优化隔离设计以避免采用复杂的EMI抑制技术，同时实现紧凑、高性价比的设计，可以从以下几个方面入手：

一、选择集成化解决方案

1. 采用集成隔离电源模块
   使用集成变压器和驱动电路的芯片级解决方案（如ADI的isoPower®系列），通过内部线圈对称性和驱动电路优化，减少共模电流（CM电流）的辐射。

• 优势：无需外部旁路电容，减少PCB空间占用，降低设计复杂度。

• 案例：ADuM5020/ADuM5028在2层PCB上即可满足CISPR 22/EN 55022 B类标准，提供500mW和330mW功率。

2. 利用芯片内置辐射抑制技术
   选择具备内置EMI抑制功能的隔离芯片，例如采用扩频调制技术降低特定频率的辐射峰值，或通过优化封装结构减少寄生参数。

二、优化电路与布局设计

1. 降低开关频率与寄生参数

• 降低开关频率：在满足效率要求的前提下，降低开关频率以减少高频辐射。

• 减少寄生电容：通过优化变压器绕组布局，减少初级与次级之间的寄生电容，从而降低CM电流的容性耦合。

2. 合理布局PCB

• 分离敏感信号线：将高频信号线与低频信号线分开布线，避免信号耦合。

• 缩短信号回路：减小信号回路的面积，降低辐射效率。

• 增加地平面：在PCB中添加完整的地平面，提供低阻抗回流路径，减少辐射。

三、采用低成本辐射抑制技术

1. 使用铁氧体磁珠
   在次级端添加铁氧体磁珠，利用其高频阻抗特性抑制辐射。

• 优势：成本低、体积小，适合紧凑设计。

• 案例：ADI的isoPower®系列产品通过在次级端使用铁氧体磁珠，进一步降低辐射发射。

2. 优化旁路电容

• 选择低ESR电容：使用等效串联电阻（ESR）低的电容，提供更好的高频滤波效果。

• 合理布局电容：将旁路电容尽可能靠近电源引脚，减少寄生电感。

四、设计阶段的前期考虑

1. EMC设计前置
   在产品设计初期就考虑EMC要求，避免后期因辐射发射问题导致设计反复。

• 仿真分析：使用EMC仿真工具预测辐射发射水平，优化设计方案。

• 标准预研：提前研究目标市场的辐射发射标准（如CISPR 11/EN 55011、FCC Part 15），确保设计符合要求。

2. 选择合规组件
   选用已经通过EMC认证的元器件，减少辐射发射风险。

• 示例：选择符合IEC 60950-1安全标准的隔离变压器，降低设计合规难度。

五、创新技术助力

1. 扩频调制技术
   通过调制开关频率，将辐射能量分散到更宽的频带，降低峰值辐射水平。

• 优势：无需额外硬件，通过软件即可实现。

2. 优化线圈对称性
   设计高度对称的变压器绕组，减少CM电流的不平衡，从而降低辐射。

六、案例总结

以ADI的isoPower®系列产品为例，通过以下技术实现紧凑、高性价比的隔离设计：

• 集成化设计：将变压器与驱动电路集成到芯片中，减少外部元件。

• 内置辐射抑制：采用扩频调制、线圈对称性优化和铁氧体磁珠，降低辐射发射。

• 简化PCB设计：无需外部旁路电容，支持2层PCB布局，降低设计复杂度和成本。

结论

通过选择集成化解决方案、优化电路与布局设计、采用低成本辐射抑制技术，并在设计阶段前置考虑EMC要求，可以有效避免复杂的EMI抑制技术，实现紧凑、高性价比的隔离设计。