原标题：东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品示意图

　　新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

　　由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。

　　东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

　　应用：

　　●   开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）

　　●   电机控制设备（电机驱动等）

　　特性：

　　●   业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）

　　●   业界最低[3]导通电阻：

　　RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）

　　RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

　　●   高额定通道温度：Tch=175℃

　　主要规格：

　　（除非另有说明，@Ta＝25℃）

　　器件型号

　　TPH2R408QM

　　TPN19008QM

　　绝对最大

　　额定值漏源电压VDSS（V）

　　80

　　漏极电流

　　（DC）ID（A）@Tc=25℃

　　120

　　34

　　通道温度

　　Tch（℃）175

　　电气特性

　　漏源导通电阻 RDS(ON)

　　最大值（mΩ）@VGS=10V

　　2.43

　　19

　　@VGS=6V

　　3.5

　　28

　　典型值

　　总栅极电荷（栅源+栅漏）

　　Qg 典型值（nC）87

　　16

　　栅极开关电荷

　　Qsw（nC）28

　　5.5

　　输出电荷

　　Qoss（nC）90

　　16.5

　　输入电容

　　Ciss（pF）5870

　　1020

　　封装

　　名称

　　Advance

　　SOP

　　TSON

　　尺寸典型值（mm）

　　5.0×6.0

　　3.3×3.3