根据日刊工业新闻7日报导，为了提高3D架构的NAND型闪存(FlashMemory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、2021年度启用，总投资额将达1兆日圆(90亿美元)的规模。东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房“第6厂房”。

该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司“东芝内存(Toshiba Memory Corporation,以下简称TMC)”负责策划，而东芝是在说明上述新厂兴建计划后才进行TMC的招标作业，因此即便之后TMC易主、预估新厂兴建计划仍将持续。而实际上，TMC卖身钱不过1兆+日圆。

报导指出，东芝因TMC出售案一事和合作伙伴WesternDigital(WD)闹翻、对立情势加剧，因此上述新厂能否如之前一样和WD分担投资额仍旧不明，不过因TMC恐难于单独进行巨额投资，故若无法和WD达成和解的话，恐必须重新思考合作策略、寻找新投资伙伴。  

东芝3日宣布，关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D NAND专用厂房“第6厂房”投资案，因和WD子公司SanDisk未能获得共识、协商破裂，故所需的设备投资金额将由TMC单独负担，且为了因应内存需求扩大，故投资金额将从原先规划的1800亿日圆加码至约1950亿日圆。东芝指出，计划在2018年度将3D架构产品的产量比重提高至约90%。

早在6月28日，东芝为了展现其在NAND Flash的技术实力，宣布，将在明年量产全球首款采用堆栈96层制程技术的3D NAND Flash产品，且也试作出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3D NAND Flash产品。而东芝再出招，宣布已试作出全球首款采用硅穿孔(TSV)技术的3D NAND Flash产品、并将在年内送样。

东芝表示，上述试作品采用堆栈48层制程技术，成功提高省电性能，且和采用打线接合(Wirebonding)技术的产品相比、其电力效率(每单位电力的数据传送量、MB/s/W)可提高至约2倍水平;另外，藉由堆栈16片512Gb芯片、成功实现了1TB的大容量产品。

路透社、美联社等多家外电报导，三星7月4日宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型闪存厂房投入14.4兆韩元，并对华城市新建的半导体生产线投入6兆韩元。位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线，但投资金额和时间表还未定。

最新数据显示，南韩6月份半导体出口价格创下30个月新高，再次证明全球芯片需求持续成长。南韩媒体Business korea.com报导，位于南韩平泽(Pyeongtaek)的三星内存厂正在加速扩厂，产业消息指出，东芝NAND产能仅能满足苹果七成需求，致使苹果紧急向三星下单，三星积极扩充产能或与此有关。

内存厂商大手笔投资，让IC Insights忧心忡忡。该机构7月18日称，内存以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(YangtzeRiverStorage)都大举提高3D NAND flash产能，未来可能还有中国新厂商加入战场，3D NAND flash产能过多的可能性“非常高”(veryhigh)。

3D NAND

3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

对于这个问题，英特尔可能已经在3D NAND当中找到了解决办法。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术，它的概念其实非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。

3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

【相关信息】东芝64层3D NAND问世

随着3D NAND技术的发展，各大存储大厂都纷纷推出自家基于新一代3D NAND技术的大容量闪存。作为闪存世界的缔造者，东芝近日正式宣布，推出新一代基于64层3D NAND技术的basicBiCS FLASH 3D闪存。

据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb(64GB，TLC),相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。

换句话说，只需要两颗芯片，就能造出近2TB容量的单面M.2 SSD，而且成本更低。

不过，目前，64层3D闪存(512Gb)仍是试样出货，但64层(256Gb)已经量产。

如此以来，今后500GB~2TB的SSD将渐渐成为主流，120GB/240GB逐步淘汰。

值得一提的是，东芝目前正计划出手半导体闪存业务，考虑到该司做假账的“案底”，新品的利好消息是否有其它用意也耐人寻味。

东芝研发96层3D NAND是真是假?

东芝在近几年的时间经历了许多大事，尤其是出售其存储器业务，更是在行业内闹得沸沸扬扬，不肯落幕，而近日，东芝又放出了一个重磅消息，那就是东芝宣布研发出96层3D NAND flash存储。此消息一出，又在业界引起了巨大反响，对于此消息的真实性，也都是众说纷纭。

东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界，宣布抢在存储龙头三星电子之前，研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为了出售存储部门，蓄意放出消息、操弄媒体。

韩媒BusinessKorea 3日报导，东芝和WD为了东芝存储(Toshiba Memory Corporation、TMC)出售案，搞到撕破脸互告。韩国业界人士称，东芝财务吃紧，被迫出售存储求现，避免因为资本减损(capital impairment)下市，怀疑东芝有能力投入庞大资金、进行研发。

相关人士猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热存储业务买气。此一消息可以突显东芝半导体的技术优势，有望抬高售价、加速出售脚步。他们表示，东芝在这个时间点放出该讯息相当可疑。

报导称，其实三星也已研发出96层3D NAND，但是考量到产品越先进，量产越困难，因此未对外公布，要先等到全面量产再说。文章力挺三星，指出就算堆叠层数相同，视各家公司技术和制造方法不同，表现仍有差异，因此堆叠层数变多，不能保证效能一定变好。

东芝明年量产96层3D NAND，QLC产品8月送样

全球第2大NAND型快闪存储厂东芝(Toshiba)28日宣布，已携手SanDisk研发出全球首款采用堆叠96层制程技术的3D NAND Flash产品，且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠96层的3D NAND试作品为256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能手机、平板电脑和记忆卡等市场。

据悉，该款产品将利用其位于日本的合资制造工厂四日市工厂“Fab 5生产线”、“新第2厂房”以及预计2018年夏天完成第1期工程的“Fab 6生产线”进行生产。西部数据强调其位于日本的合资制造工厂业务持续表现强劲，预计2017年公司整体3D NAND供货量，将有75%以上来自64层3D NAND(BICS3)技术的产品组合。而2017年西部数据与其合作伙伴东芝生产的64层3D NAND总产量，将远高于业界任何一家供应商。

东芝今后也计划推出采用堆叠96层制程技术的512Gb(64GB)3D NAND产品以及采用全球首见的4bit/cell(QLC=Quad-Level Cell)技术的3D NAND产品。

西部数据存储器技术执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“我们成功开发出业界首创的96层3D NAND技术，验证西部数据在技术蓝图研发的执行能力。BiCS4可采用3-bits-per-cell与4-bits-per-cell两种架构，同时具备多种技术和制造方面的创新，以具吸引力的成本提供顾客最高的3DNAND储存容量、效能与可靠度。西部数据的3DNAND产品组合是专为各种终端市场所设计，范围涵盖消费者、移动装置、运算装置和数据中心。”

东芝目前已量产堆叠64层的3D NAND产品，而和64层产品相比，96层3D NAND每单位面积的记忆容量扩大至约1.4倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每bit成本也下滑。

东芝并于28日宣布，已试做出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3DNAND产品，且已完成基本动作及基本性能的确认。该款QLC试作品为采用堆叠64层制程技术，实现业界最大容量的768Gb(96GB)产品，已于6月上旬提供给SSD厂、控制器厂进行研发使用。

东芝表示，堆叠16片768Gb芯片，实现业界最大容量1.5TB的QLC技术产品预计于2017年8月送样，且该款1.5TB产品将在8月7-10日期间于美国圣塔克拉拉举行的“Flash Memory Summit 2017”上进行展示。