原标题：诺存微电子国内首批高速NOR闪存芯片产品发布

　　2019年4月9日-11日第九十三届中国电子(CEF)展盛大开幕，由启迪控股旗下启迪融智基金和启迪阳明基金领投的苏州诺存微电子在昆山团体展中亮相，诺存微电子团队主导研发的国内首批Octa-SPI/Quad-SPI含DTR功能的高速NOR闪存芯片新品一经发布，便引起了业界人士和专业观众的高度关注。

　　本次诺存发布的三款产品，采用Octa-/Quad-SPI DTR高速接口技术，引脚少, SOP16、SOP8 或 BGA24封装，属国内首创;与传统SPI NOR完全兼容，但速度快16倍，可轻松实现产品升级替换SPI NOR，是汽车、物联网、工业、消费电子等应用的最佳选择。

　　国家工信部电子司副司长吴胜武莅临参观指导，对公司及产品情况进行深入了解，诺存微电子就高速NOR闪存系列进行产品展示。吴胜武对诺存微电子专注发展国内自主知识产权的闪存芯片表示支持和鼓励，未来希望诺存微电子能有所突破，更上一层楼!

　　“脚踏实地，志存高远，致力于打造国际的闪存芯片”是诺存一直坚持的目标，未来诺存将以独特的专利技术冲击市场，引领技术创新，填补国内空白并带动相关产业的聚集效应，打造世界一级的芯片设计，让我们拭目以待!

　　新品解读

　　1、NM25L256FVA256Mb,3V,SPI/Octa-SPI; DTR NOR Flash

　　Protocol Support - Single I/O and Octa I/O

　　Single and Double Transfer Rate (STR/DTR mode)

　　Performance: Up to 104 MHz in clock frequency,maximum 208 MB/s read throughput (DTR mode).

　　Interface: Standard single SPI interface and octal SPIinterface, to enable a high degree of flexibility, performance and backwardcompatibility.

　　Single Supply Voltage: voltage range 2.7–3.6V. Low EnergyConsumption.

　　Package Options: JEDEC, SOP16 and BGA24 (5╳5 ball array), drop-in-Replacement for SPI. RoHSCompliant and Halogen Free.

　　Temperature Range: Full industrial (–40°C to 85°C) and in-future automotive AEC-Q 100 (–40°Cto 105°C) temperature support to address variety of applications

　　Security: Hardware and software block protection; onetime programmable region

　　Cycling endurance and Data retention: Minimum 100,000 Program/Erase Cycles; 20-year dataretention typical.

　　2、NM25Q128FVB128Mb, 3V, SPI, Dual/Quad-SPI,QPI; DTR NOR Flash

　　Protocol Support - Single I/O, Dual I/O and Quad I/O

　　Single and Double Transfer Rate (STR/DTR mode)

　　Performance: Up to 104MHz in clock frequency, maximum 104 MB/s read throughput (DTR mode).

　　Interface: Standard Single,Dual and Quad SPI interface, toenable a high degree of flexibility, performance and backward compatibility.

　　Single SupplyVoltage:voltagerange 2.7–3.6V. Low Energy Consumption.

　　Package Options: JEDEC, SOP 8,drop-in-Replacement for SPI. RoHS Compliant and Halogen Free.

　　Temperature Range:Full industrial(–40°C to 85°C) and in-future automotiveAEC-Q 100 (–40°C to 105°C) temperature support to address variety ofapplications.

　　Security: Hardware and software block protection; onetimeprogrammable region

　　Cycling endurance and Data retention: Minimum 100,000 Program/Erase Cycles;

　　20-year data retention typical.

　　3、NM25Q64FVB64Mb,3V，SPI,Dual/Quad-SPI,QPI;DTR

　　Protocol Support - Single I/O, Dual I/O and Quad I/O

　　Single and Double Transfer Rate (STR/DTR mode)

　　Performance: Up to 104MHz in clock frequency, maximum 104 MB/s read throughput (DTR mode).

　　Interface: Standard Single,Dual and Quad SPI interface, toenable a high degree of flexibility, performance and backward compatibility.

　　Single Supply Voltage: voltagerange 2.7–3.6V. Low Energy Consumption.

　　Package Options: JEDEC, SOP 8,drop-in-Replacement for SPI. RoHS Compliant and Halogen Free.

　　Temperature Range:Full industrial (–40°Cto 85°C) and in-future automotiveAEC-Q 100 (–40°C to 105°C) temperature support to address variety ofapplications

　　Security: Hardware and software block protection; onetimeprogrammable region

　　Cycling endurance and Data retention:Minimum 100,000Program/Erase Cycles;

　　20-year data retentiontypical.

　　创始人介绍：

　　诺存微电子2015年入驻启迪科技园(昆山)，创始人彭海兵博士本科毕业于清华大学，是哈佛博士、UC伯克利博士后;在半导体、纳米技术、新材料、存储器等领域取得了世界领先水平的重要成果：

　　代表性论文包括20篇第一/通讯作者文章，单篇论文最高被引用超350次，4篇分别被引过百次。

　　14项美国/中国专利，其中三项被产业化; 入选2017年江苏省“双创计划”人才、2017年“江苏留学回国人员创新创业计划”、2016年苏州“姑苏双创领军人才”和“昆山双创领军人才”。