存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron(美光)、德国的Infineon(英飞凌);韩国的SAMSUNG(三星)、HY(现代);日本的NEC(日本电气)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(

东芝);台湾的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(钰创)、Winbond(华邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先进)、Nanya(南亚)。

有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明

“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2=54，DDR的管脚数量为33X2=66。

美光(Micron)

美光科技有限公司(以下简称美光科技)，成立于1978年，是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器。总公司(Micron Technology, Inc.)设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西，拥有完整先进的制造业和研发设备。美光的业务分布全球，在全球拥有两万六千名正式雇员，其中亚洲有一万名。在中国，美光科技公司在上海设立了市场营销办事处和集成电路设计中心;在北京、深圳设立了市场营销办事处，致力于为上海、北京、深圳、福建和其他省市的客户提供高水平的服务。另外，2005年9月，美光公司经过对国内10余个城市的进行综合考察后，最后决定选址西安，建造美光在中国的半导体工厂，该项目包括芯片模块组装和芯片封装测试两个部分，总投资达2.5亿美元，出口额可达5亿美元以上，创造就业岗位2000余个。

美光(Micron)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一，作为全球知名的半导体记忆产品生产商，产量位于全世界前列。美光的DRAM动态随机存取存储器和Flash闪存使用广泛，主要用于计算机系统、电路网路和电讯产品;电脑，工作站，服务器，网状系统，行动电话，无线装置，数码照相机，和游戏系统，都是有使用美光的DRAM动态随机存取存储器和Flash闪存构成的产品。美光是行业的创新者和领导者，致力于开发突破性技术和产品，优化性能。美光的使命是要成为最具创新精神和低成本的存储解决方案供应商。这一使命是体现在生产周期短、产出高、生产成本低、芯片尺寸是业界最小这几个方面。美光科技公司一直致力于提高其客户群，提高其在中国运用先进的半导体技术的地位。

美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易(NYSE)。

美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron(美光)颗粒编号的简单含义作介绍：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。

8M8——内存颗粒容量为8M。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz;-65即150MHz。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

亿恒(In fineon)

 nfineon(亿恒)颗粒

Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。它的编号简单，编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。它的

内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

用实例如上图对它颗粒编号的简单介绍：

HYB-内存编号开头

25-25是时间(周)

D-D代表DDR颗粒，S代表SDR颗粒

128-128代表单颗容量为128/8=16M

32-32表示位宽32bit

3.3-3.3代表颗粒速度

这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。32也就是单颗32位。顺便说一下，这是DDR SGRAM显存颗粒。

韩国三星(Samsung)

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

下面简单对三星的颗粒编号作一个介绍：

编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量，容量相同的颗粒采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量;28、27、2A代表16Mbit的容量;56、55、57、5A代表32Mbit的容量

;51代表64Mbit的容量。

第6、7位——表示颗粒位宽，16代表16位;32代表32位;64代表64位。

第11位--空格，没有实际意义。

第12、13位――为速度标志。

第14、15位——芯片的速率数据。

图3 三星颗粒(左边为采用TSOP封装DDR颗粒，右边为采用TSOP封装的SD颗粒)

图4 采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒

韩国现代(Hynix)

韩国现代公司的显存，应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的产品线也是很丰富的，在内存中，现代HY是物美价廉的代表。第一个编号为HY5DV641622AT-36的颗粒，它是DDR显存颗粒

，第4位的字母“D”即代表为DDR，单颗64/8=8MB，速度为3.6ns;第二颗编号为HY57V641620HG T-6，它是SDR颗粒，它的第6、7两位标称了显存单颗粒为64/8=8MB，8，9两位代表了显存位宽为16bit，

T-6表示速度为6ns，一般以-2A的标识方式进行标注。

台湾晶豪电子

EilteMT颗粒

台湾晶豪电子是台湾5大内存芯片厂商之一，它近年来发展迅速，主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。这颗显存编号为-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表显存的速度为5.5ns，对应的运行速度

=1/5.5=183MHz;9948S表示封装日期为99年第48周;第二行中的3232表示容量为32/8=4MB，数据带宽为32bit。

这颗显存编号为M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示单颗是128/8=16MB，8、9位表示位宽16bit，最后的-4T表示速度为4ns。

台湾钰创科技

钰创科技为一世界级记忆体IC无晶圆厂商(Fabless)，深耕多项「应用导向」利基型记忆体产品(Application-Driven Memory)，包括DDR DRAM、SDR DRAM、Low Power SDRAM与System Chips，并以裸晶记忆体(KGDM: Known-Good-Die Memory)及消费型记忆体(CEDRAM: Consumer Electronics DRAM)技术及服务领先全球，产品可广泛运用在多项4C(Computer, Consumer, Communication, Car)领域。

本公司自1991年成立於新竹科学园区，并於1998年於台湾上柜市场公开发行(OTC代号: 5351)，

台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星，它的内存颗粒被各大显卡产商大量采用，品质性能都非常不错。这颗显存编号为EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(钰创)显存，65代表

容量为64/8=8MB，16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V，S代表种类为DDR SDRAM。4.5代表显存速度为4.5ns，额定工作频率为230MHz。

南亚科技(NANYA)

该公司资本额403亿台币，员工人数约4000人，总公司位于华亚科技园区，生产基地为一座八吋晶圆厂及一座十二吋晶圆厂，分别位于桃园南崁及泰山南林园区。南亚科技多年来专注于研发及智慧财产权的建立，并已培养近800人的研发团队。

在制程进度上，南亚科技的42纳米制程技术已于2010年第四季开始量产，计划于2011年中全数可转换至42纳米(不包含部份为利基型内存产品线所保留的产能)，以2Gb DDR3芯片生产为主，将于下半年导入4Gb DDR3的产品。3X纳米制程技术规划将于今(2011)年第二季导入投片。南亚科技致力拥有自主技术及经营自有品牌，并持续强化高附加价值利基型(非标准型)内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。

为提升技术力与竞争力，南亚科技于2008年4月与美国美光公司(Micron)签订10年共同研发合约，共同致力于先进制程技术，开发更高附加价值产品。南亚科技与美国美光公司(Micron)签订50纳米以下制程技术共同开发合约，自2008年12月起共同分享华亚科技的产出。华亚科技已于2010年第四季完成50纳米技术转换，并达产能满载每月13万片之投片。华亚科技计划于2011年第一季开始42纳米量产，且于2011年年中完成绝大多数的产能转换。此策略联盟，与美光共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台生根，以达到永续经营的目标。

经营理念

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「技术生根，永续经营」

致力于先进技术与产品的开发。同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台湾生根，永续发展。

充分利用已开发完成的先进制程技术，提升产品的价值，达到求取最大获利的目标。

经营策略

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经营目标 :

跻身成为世界一流DRAM内存及相关产品制造服务供货商，以两位数的全球市场占有率为目标。

南亚科技除巩固其在标准型内存市场市占率外，更积极经营利基型(非标准型)内存市场，包括服务器用内存、消费型内存及行动式内存(Mobile RAM)三大核心产品线的研发、生产及销售。在服务器用内存及消费型内存领域已有优异成绩表现，且行动式内存领域正逐渐茁壮。预期这些高附加价值产品在2011年占总营业额比重可提高至三成以上，可为南科销售量带来逐月成长，且期许2012年能挑战营收过半的策略目标。非标准型内存利润较高且市场稳定，属高附加价值的产品，南科致力强化该内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。

经营策略 :

秉持台塑企业「追根究柢，实事求是」之经营理念，南科致力于拥有自主技术及经营自有品牌。

南科与美光采共同研发，目标在2012年达到自主研发目标。

南科长期经营自有品牌，品牌销售占出货量超过90% ，其中OEM客户(如联想、宏碁、华硕、 HP 、 Dell等)占75%，且在供货商评比中名列前茅。

在台湾设立制程技术研发中心，与技术伙伴美光同步研发，并以最先进的技术，于最大的生产基地量产，获得最大利益。

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单

颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。

台湾华邦(winbond)

台湾华邦为台湾5大内存芯片厂商之一，近年来，大陆客户采用它的内存颗粒较多，因此为我们较熟悉的一种品牌。这颗粒编号为W946432AD-5H，第1位W为台湾华邦显存颗粒开头标志，编号中的4、5

为64表示单颗显存为64/8=8Mb，第6、7为32表示单颗粒位宽为32位，第9位D表示位DDR颗粒，后面的第11、12位表示颗粒速度位5ns。

台湾茂矽(MOSEL)

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8=8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒

位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns。