内存标准制定组织JEDEC周四表示，新一代DDR5内存的规格制定工作已经开始，计划明年定稿。

据悉，用于服务器和台式PC上的DDR5内存速度将是DDR4内存的两倍之多，执行效率也更高。

同时，针对智能手机以及笔记本电脑等对续航有更高要求的设备，还会推出低电压版的LPDDR5内存。

虽然看起来DDR5内存非常值得期待，但分析师却对其前景并不看好，反而认为DDR内存时代将在DDR4生命周期结束时谢幕。

分析师认为，DDR5会首先被应用于服务器和高端PC领域，随后才会逐渐向下普及。但近些年，无论是大型服务器还是游戏PC，其设计都没有根本性的变化，DDR4内存依旧可以满足需求。所以内存和主板厂商升级DDR5的动力并不充足。

另一方面，随着Intel傲腾这样的新一代存储技术推出，DDR内存的地位正在被取代。

就连JEDEC自己也正在制定名为NVDIMM-P替代传统DDR内存的新一代整合式存储标准。

据JEDEC介绍，NVDIMM-P是一种很久性的存储器，其将易失性DRAM和非易失性DRAM芯片整合在一起，然后插入DIMM插槽。这种新型存储器未来主要针对数据库应用。

DDR5内存介绍

DDR5内存目前业界并不存在，内存处在DDR4普及的时代。而现在为大家津津乐道的DDR5，其实就是GDDR5显存。从显卡问世以来，显存就在不断地发展。单是GDDR时代，就有GDDR1、GDDR2、GDDR3和GDDR4。就在近，全新的GDDR5显存全面上市，它相比老一代的显存有速度更快、功耗更低、带宽更高等优势。一时间，许多玩家和用户都将焦点集中在了它上面。各种说法也随之而来，有人错误的说：GDDR3和GDDR5之间，就没什么区别，就是频率高点。也有人错误的说：GDDR5显存的显卡多数都搭配128bit显存位宽，性能还不如GDDR3，256bit的。

GDDR5内存时代

在2008年，芯片厂商其实就已经意识到GDDR3的显存频率难以再往上大幅提升，ATI和JEDEG（国际内存标准的制定组织）制定了GDDR4颗粒标准，并在Radeon X1950XTX/HD2900XT/HD2600XT/HD3870等显卡上率先使用了GDDR4显存配置。但由于只有ATI单方面推广，NVIDIA方面依然专注GDDR3产品，因此内存芯片厂商对于GDDR4没有表现出很高的兴趣。而GDDR4至今仍然得不到重用的原因在于GDDR4未能解决功耗和成本问题，而且带宽提升并不显著以及显存延迟问题明显，与同频率的GDDR3相比性能不升反降。

三星显存颗粒

因此，在08年的7月，AMD将目标重新锁定在GDDR5上，在当时新一代的Radeon HD4870产品上率先采用GDDR5显存颗粒，在保持256bit显存位宽不变的情况下，大幅提升了显存频率，消除了困扰多年的带宽瓶颈。

GDDR5显存显卡产品已经成为市场主流

而奇梦达、三星、hynix等厂商均开始了GDDR5显存颗粒的研发与生产，从发展趋势来看，采用GDDR5显存的显卡在2009将占据20%的市场份额。

AMD从HD4000系列开始，主流产品均配备GDDR5显存，早的是2008年11月上市的Radeon HD4870, 和后期相继发布的Radeon HD4890/4750/4770以及新一代旗舰核心RV870和主流HD5000系列的相关产品。NVIDIA从2009年11月份发布张搭配GDDR5显存颗粒的显卡开始，产品规划上也已经采用GDDR5显存的产品。

从2010年开始，采用GDDR5显存的显卡产品已渐成为市场主流。

GDDR5内存与GDDR3内存

1、速度不同-频率可达6.4GHz以上，GDDR5比GDDR3快2倍以上

在GDDR5与GDDR3的诸多不同中，显存频率的高低是为明显的。GDDR3的频率高可达2200MHz，而GDDR5的峰值频率却可以达到7000MHz，甚至更高。相信许多朋友会问，为什么GDDR5可以运行在比GDDR3更高的频率上呢？

目前市售显卡中快的显存是0.4ns的GDDR5，频率可达6000MHz

如果直接引用白皮书的专业名词，相信大家一定会看的云里雾里。简单地说：是2倍于GDDR3的数据预取量和DQ并行总线，使GDDR5显存的实际速度快了一倍。所谓的数据预取技术实际上和快餐店备餐的原理差不多，从GDDR2到GDDR4时代，显存的预取数据为4bit（也就是提前准备了4份快餐）。需要调数据的请求一到（食客下单了），显存就把这4bit的数据送上去；而GDDR5由于使用了更为先进的算法，预取的数据达到了8bit（8份快餐），当要求到来，它可以一下子将2倍于GDDR3的数据量提交上去。速度自然快了1倍。

不仅如此，GDDR5显存还使用了DQ并行双总线，相当于提供了在原来的基础上多加了一条通道，而以前的GDDR3显存却只有一条通道。如此折算下来，GDDR5的速度可达GDDR3的4倍以上，5000MHz的高频自然不足为奇。

2、功耗更低-GDDR5比GDDR3节能20%

毫无疑问，相比GDDR3或GDDR4显存颗粒而言，GDDR5显存颗粒大的亮点就是拥有更高的带宽，但显存频率的提升，也增加了芯片功耗，这会制约显卡性能的发挥。从技术标准来看，GDDR3显存颗粒的工作电压为1.8V，GDDR5显存电压仅有1.5V，还具有很好的电源管理技术，功耗自然更低。不仅如此，GDDR3使用的多为80nm制程，而GDDR5为55nm，制程的提高，使芯片的体积大大缩小，发热量也可以低许多。

3、 带宽更高-GDDR5配128bit显存，仍比GDDR3配256bit快

根据公式，显存带宽=显存频率×显存位宽/8，以市售599元的昂达GT240神戈为例，其显存频率达了4000MHz。其带宽=4000MHz x 128bit /8，而GDDR3版本、显存频率在1800MHz的GT240，其带宽=1800MHz x 128bit /8 。前者依靠是后者2.22倍的显存频率，获得了极大的带宽优势。即使面对的256bit的显卡，也可以凭借高频率的优势获得性能上的领先。

在芯片相同的情况下，GDDR5版本的GT240，会比GDDR3版本的快28.9%，而当频率进一步提高（650/4000MHz），两者的差距会拉到38%。此时，GDDR5版本的高频GT240，在性能上比256bit的96GT高24%，甚至接近了芯片性能更高的98GT。这一切的根源都来自于GDDR5优异的性能。

DDR4内存介绍

DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上条DDR4内存。

DDR4相比DDR3大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。

DDR4内存数据规格

DDR4内存的标准规范仍未终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能多40%。

根据此前的规划，DDR4内存频率高有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。

三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

三星称，2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。

DDR3内存介绍

DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。

DDR3内存技术概论

CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用来校准ODT（On Die Termination）内部终端电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

DDR3内存新型设计

1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有等效数据频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率（内核频率）只有100MHz。

2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

DDR3内存性能优势

(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 许多低端的显卡也有采用DDR3显存的。

与DDR2比较

1.突发长度（Burst Length，BL）：由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）：就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能：重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至少量活动状态，以节约电力。 在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能：ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

5.参考电压分成两个：在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）：这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。