|
1 + |
¥ 3.25066 |
|
|
10 + |
¥ 2.631986 |
|
|
500 + |
¥ 2.592503 |
|
|
1000 + |
¥ 2.514725 |
|
|
2500 + |
|
¥ 2.401562 |
|
1 + |
$ 0.469132 |
|
|
10 + |
$ 0.379846 |
|
|
500 + |
$ 0.374147 |
|
|
1000 + |
$ 0.362923 |
|
|
2500 + |
|
$ 0.346591 |
|
(人民币单价(含13%税)) |
||
起订量 1 / 递增量 1
| 参数 | 数值 |
|---|---|
|
Country Of Origins
|
Malaysia, China
|
|
Lifecyle
|
Active
|
|
EU RoHS
|
Yes with Exemption
|
|
EU RoHS Version
|
2011/65/EU, 2015/863
|
|
Part Number Code
|
View Code
|
|
Description
|
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
|
|
Taxonomy
|
Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
|
|
Introduction Date
|
1999-01-22 00
|
|
ECCN
|
EAR99
|
|
Supplier Cage Code
|
CG091
|
|
HTSUSA
|
8541290095
|
|
Pd-功率耗散
|
2.1W
|
|
Vgs-栅极-源极电压
|
16V
|
|
Id-连续漏极电流
|
3.8A
|
|
制造商
|
Infineon
|
|
Qg-栅极电荷
|
32nC
|
|
商标
|
InfineonTechnologies
|
|
封装
|
Reel
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装/箱体
|
SOT-223-4
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
55V
|
|
子类别
|
MOSFETs
|
|
产品种类
|
MOSFET
|
|
工厂包装数量
|
2500
|
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
|
通道数量
|
1Channel
|
|
RdsOn-漏源导通电阻
|
65mOhms
|
平台购物流程是怎样的?
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