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广东可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：93W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 5.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：139W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：175W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：210mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：123W(Tc) 类型：N沟道

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