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关于FEIHONG

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广州飞虹微电子有限公司成立于广州越秀区，诚信经营20多年，主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车、汽车电子等领域。飞虹公司的前身是广州索尔半导体，飞虹公司从成立初期产品应用于玩具、小家电开始，逐渐发展到多个领域：照明（节能灯照明、LED照明）、电源（适配器、开关电源、充电器等）、逆变器（逆变电源、光伏逆变）、汽车电子、电动车（控制器、转换器、充电器、智能钥匙等）、音响功放（家用、KTV、专业舞台音响及调音台等）、电焊机（以及步进电机等）、家电（电视机、饮水机、雾化器、咖啡机、豆浆机等）、无人机、仪器仪表等；三极管与MOS管的封装外形从92、126等小封装，发展到92L、92LS、126F、220、220F、3PN、251、252、262、263等等；种类从三极管发展到三极管、三端稳压管、肖特基、高压MOS管、中压MOS管、低压MOS、IGBT等等。

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：63V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：59.4W(Tc) 类型：N沟道

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集电极电流Ic：150mA 额定功率：400mW 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：52V

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集电极电流Ic：600mA 额定功率：625mW 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：165V

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集电极电流Ic：1A 额定功率：900mW 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：160V

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集电极电流Ic：3A 额定功率：30W 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：60V

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集电极电流Ic：600mA 额定功率：625mW 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：165V

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A (Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：140A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.2mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：231W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：193.6W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：5.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44.6W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道

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集电极电流Ic：3A 额定功率：30W 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：70V

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集电极电流Ic：500mA 额定功率：625mW 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：27V

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集电极电流Ic：2A 额定功率：900mW 晶体管类型：- 集射极击穿电压Vce：50V

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Darlington Transistors TO

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输出类型：可调式输出电压(可调)：1.3V ~ 37V 输出电压(固定)：- 静态电流(Iq)：- 压降(max)：-

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