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龙腾半导体有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发及销售于一体的高新技术企业。公司推出的超结功率场效应管（Super Junction VDMOS、Shielding Gate VDMOS）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD）等系列产品具有高能效、高可靠性及高性价比的优点，已在计算机及服务器电源、LED驱动电源、充电器、适配器、TV板卡电源等多个领域得到广泛应用；在新能源汽车充电桩、车载充电机、汽车电机驱动、光伏逆变器、工业变频器、UPS、电焊机市场等领域持续增长。

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.9W 类型：P沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：13.9mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：106W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

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其他晶体管

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

快恢复二极管

正向压降(Vf)：1.8V 10A 平均整流电流(Io)：10A 反向电流(Ir)：50μA 600V 反向恢复时间(trr)：20ns 工作温度(最小值)：-50℃ (Tj)

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功率MOSFET模块

功率MOSFET TO-220

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功率MOSFET模块

功率MOSFET TO-252

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功率MOSFET模块

功率MOSFET TO-251

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功率MOSFET模块

功率MOSFET TO-252

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功率MOSFET模块

功率MOSFET TO-251

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功率MOSFET TO-220

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