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关于JSMC

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吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年330万片，封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品，成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：271W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

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JCS12N65FC-220MF

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：620mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

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JCS18N50FH-220MF

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：270mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

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JCS11N65FC TO-220MF

产品分类：

其他晶体管

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：159.2W(Tc) 类型：N沟道

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JCS4N70FC-220MF

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 类型：N沟道

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快恢复二极管

正向压降(Vf)：3V 30A 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：30A 反向电流(Ir)：100μA 1.2kV 反向恢复时间(trr)：40ns 工作温度(最小值)：-50℃ (Tj)

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产品分类：

快恢复二极管

二极管配置：1对共阴极正向压降(Vf)：1.5V 30A 平均整流电流(Io)：30A 反向电流(Ir)：100μA 600V 反向恢复时间(trr)：71.6ns 工作温度(最小值)：-50℃ (Tj)

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产品分类：

肖特基二极管

正向压降（Vf）：900mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：150V 平均整流电流（Io）：2 x 5A

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产品分类：

肖特基二极管

正向压降（Vf）：680mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：80V 平均整流电流（Io）：2 x 10A

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HBR5100U-DO-201AD

产品分类：

肖特基二极管

正向压降（Vf）：720mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：5A

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：600mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：45V 平均整流电流（Io）：2 x 10A

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：850mV @ 1A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：2A

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HBR5150-DO-201AD

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：900mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：5A

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3DD13005ED-220HF

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其他晶体管

集电极电流Ic：4A 额定功率：40W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

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其他晶体管

集电极电流Ic：4A 额定功率：75W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

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JCS2N60FC-220MF

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43.9W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

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其他晶体管

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其他晶体管

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其他晶体管

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：930mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：2 x 10A

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HBR20100S-220HF

产品分类：

肖特基二极管

正向压降（Vf）：850mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：2 x 10A

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：780mV @ 15A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：2 x 15A

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肖特基二极管

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3DD13005ED-220C

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其他晶体管

集电极电流Ic：4A 额定功率：75W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V

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JCS2N65FC-220MF

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.06W(Tc) 类型：N沟道

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