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长电科技成立于1972年，是中国著名的分立器件制造商。历经四十余年发展，长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技具有广泛的技术积累和产品解决方案，包括有自主知识产权的Fan-out eWLB、WLCSP、Bump、PoP、fcBGA、SiP、PA等封装技术，另外引线框封装及自主品牌的分立器件也深受客户褒奖。

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SS8550 L(120-250)

产品分类：

其他晶体管

SOT23-3,PNP,Ic=1.5 A，300 mW

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

MMBT5551-G H(200-300)

产品分类：

其他晶体管

NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=200~300 fT=100MHz P=300mW

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

射频用FET/MOSFET

P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4.2A P=400mW

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳
0.22042

产品分类：

射频用FET/MOSFET

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=3.6A P=350mW

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0.22256

S9015W L(200-450)

产品分类：

其他晶体管

PNP Ic=-100mA Vceo=-45V hfe=200~450 fT=150MHz P=200mW L档 SOT-323

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0.097295

产品分类：

射频用FET/MOSFET

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳
0.303345

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：1A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：80V .

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：200mA 额定功率：1.25W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：300V

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：100mA 额定功率：200mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：45V

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳
0.076398

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：5A 额定功率：500mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：20V .

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：600mA 额定功率：200mW 晶体管类型：NPN,PNP 集射极击穿电压Vce：40V,60V

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：5A 额定功率：1W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：80V

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产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：800mA 额定功率：200mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：25V

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：1A 额定功率：1.5W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳
0.34026

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：3A 额定功率：2W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：100V

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产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：500mA 额定功率：300mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：25V

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：500mA 额定功率：300mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：25V .

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：1A 额定功率：250mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：100V

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0.205494

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：500mA 额定功率：225mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：80V

最新卖价	包装	应用	系列	电压电源	工作温度	封装外壳
0.133547

产品分类：

其他晶体管

集电极电流Ic：1A 额定功率：500mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：60V

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0.228338

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