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深圳铨力半导体有限公司是一家国家高新技术企业，公司拥有众多在半导体集成电路的专家，产品线丰富，企业发展迅速，成立于2017年1月16日，公司主要从事电子集成电路的研发销售，产品以MOS，LDO，AD-DC等产品为主。

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：P沟道

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产品分类：

射频用FET/MOSFET

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射频用FET/MOSFET

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1.005304

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射频用FET/MOSFET

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0.850544

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射频用FET/MOSFET

类型：2个N沟道和2个P沟道(全桥)

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0.50456

产品分类：

射频用FET/MOSFET

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.16nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：180pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

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