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深圳铨力半导体有限公司是一家国家高新技术企业，公司拥有众多在半导体集成电路的专家，产品线丰富，企业发展迅速，成立于2017年1月16日，公司主要从事电子集成电路的研发销售，产品以MOS，LDO，AD-DC等产品为主。

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产品分类：

射频用FET/MOSFET

类型：N沟道 100V

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0.860932

产品分类：

射频用FET/MOSFET

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：14nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：596pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：70pF@20V 工作温度：+150℃@(Tj)

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0.252916

产品分类：

射频用FET/MOSFET

N沟道 30V 15A

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0.750798

产品分类：

射频用FET/MOSFET

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0.164088

产品分类：

射频用FET/MOSFET

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0.783552

产品分类：

射频用FET/MOSFET

P沟道 30V 12A

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0.767016

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：P沟道

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产品分类：

射频用FET/MOSFET

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0.124773

产品分类：

射频用FET/MOSFET

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1.005304

产品分类：

射频用FET/MOSFET

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1.303588

产品分类：

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0.850544

产品分类：

射频用FET/MOSFET

类型：2个N沟道和2个P沟道(全桥)

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0.50456

产品分类：

射频用FET/MOSFET

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.16nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：180pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

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0.756204

产品分类：

射频用FET/MOSFET

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0.53371

产品分类：

射频用FET/MOSFET

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：750pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：80pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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0.284928

产品分类：

射频用FET/MOSFET

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1.042086

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其他晶体管

P channel drain source voltage (VDSS): 30V continuous drain current (ID): 30A power (PD): 1.5W

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0.559835

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射频用FET/MOSFET

类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.05nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：72pF@20V 工作温度：+150℃@(Tj)

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0.548803

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射频用FET/MOSFET

类型：1个N沟道和1个P沟道

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0.426438

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射频用FET/MOSFET

P沟道 VDS=20V ID=3A

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0.471488

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射频用FET/MOSFET

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.2mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道,30V,100A,3.6mΩ@10V

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0.98156

产品分类：

射频用FET/MOSFET

MOSFETs DFN3x3 Single P-Channel

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0.780054

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道

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1.408528

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.9V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

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产品分类：

射频用FET/MOSFET

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV@250μA P沟道

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0.268498

产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.2A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W(Tc) 类型：N沟道

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0.177444

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