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关于SINO-IC

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上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一。公司产品品种多，覆盖范围广，已广泛应用于通讯系统的接口保护、便携产品接口保护、锂电池的过充过放保护、电源系统的过压保护、以及LED驱动与保护等。主要产品类别： 1、TVS/ESD保护器件 2、半导体过电压保护器件 3、功率MOSFET器件 4、肖特基二极管 6、数字三极管 7、稳压二极管 8、LED驱动电路。

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产品分类：

其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：19A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：3.8V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W(Tc) 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A,2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道和P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W 类型：N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：53W 类型：N沟道

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：750mV @ 3A 直流反向耐压（Vr）：60V 平均整流电流（Io）：3A

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反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：13.5V 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：Bidirectional / Unidirectional 箝位电压：-

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反向关断电压（典型值）：- 击穿电压（最小值）：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：- 箝位电压：-

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反向关断电压（典型值）：3.3V 击穿电压（最小值）：5.1V 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：Bidirectional 箝位电压：-

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 5A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道

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其他晶体管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

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肖特基二极管

正向压降（Vf）：550mV @ 3A 直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：3A

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：13.3V 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：Unidirectional 箝位电压：-

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稳压二极管

最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：2uA @ 4V 稳压值(典型值）：7.5V

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其他二极管

反向关断电压（典型值）：33V 击穿电压（最小值）：36.7V 峰值脉冲电流（10/1000us）：11.3A 极性：Bidirectional 箝位电压：53.3V

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反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：13.3V 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：- 箝位电压：-

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反向关断电压（典型值）：24V 击穿电压（最小值）：26.7V 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：Bidirectional / Unidirectional 箝位电压：-

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：41mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道

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