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博盛半导体股份有限公司成立于2012年4月，消费性中低压MOSFET、工业用高压高功率IGBT、Super Junction以及先进GaN/SiC原料制程产品等都在博盛半导体生产、研发的产品范围内。本公司的产品线研发，广泛适用于消费、通讯、工业及汽车应用之领域。例如: 5G应用、全自动驾驶车辆、无线电源传输、云端资料中心….等等。

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道

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FET/MOSFET 单体

通用MOSFET TO-220

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FET/MOSFET 单体

通用MOSFET DFN5*6

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FET/MOSFET 单体

通用MOSFET SOP-8

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15.5mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.66W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：114A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：183W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：66W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：73mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：P沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 3A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.79W(Tc) 类型：N沟道

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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：176A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：168W(Tc) 类型：N沟道

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