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关于RUICHIPS

RUICHIPS

深圳市锐骏半导体股份有限公司是一家半导体产品、电子产品的设计、技术开发与销售科技公司，由黄泽军先生创立，总部位于深圳市南山区高新科技园。 锐骏公司是中国领先的半导体和电子技术解决方案供应商，专注MOS、IC领域在半导体产品、电子产品应用领域构筑了系统的解决方案，为经销商客户、终端客户和消费者提供有竞争力的MOS、IC解决方案、产品和服务，并致力于推动国产半导体事业，矢志成为中国最大的功率半导体设计、技术开发公司。主要产品包括：高中低压MOS管、肖特基二极管、开关稳压管、电源管理芯片。
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RU20P7C6
型号：
RU20P7C6
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
P沟道 VDS=-20V VGS=±10V ID=-5A P=1.3W
RU3415EB
型号：
RU3415EB
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-4A P=1.3W
RU20P17M2
型号：
RU20P17M2
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
场效应管(单) PDFN3333 P沟道 VDS=-20V VGS=±10V ID=-9.3A P=3.5W
RU40191S
型号：
RU40191S
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
场效应管(单) TO263 N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=190A(Tc) P=300W(Tc)
RU40191S-R
型号：
RU40191S-R
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
场效应管(单) N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=190A(Tc) P=300W(Tc)
RU1H35L
型号：
RU1H35L
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 类型：N沟道
RU20P3B
型号：
RU20P3B
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
RU30P3B
型号：
RU30P3B
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
RU3030M2
型号：
RU3030M2
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W(Tc) 类型：N沟道
RU3020H
型号：
RU3020H
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：N沟道
RUH60100M
型号：
RUH60100M
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：126W(Tc) 类型：N沟道
RU1H130S-R
型号：
RU1H130S-R
品牌：
锐骏
产品分类：
FET/MOSFET 阵列
描述：
晶体管 - FET，MOSFET RU1H130S-R MOS(场效应管) TO-263-2
RUH3030M2
型号：
RUH3030M2
品牌：
锐骏
产品分类：
驱动器/收发器/接收器/控制器
描述：
RU60E6H
型号：
RU60E6H
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
场效应管(单) SOP-8 N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=6A(Tc) P=2.5W(Tc)
RU206B
型号：
RU206B
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
场效应管(单) SOT23 N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=6A P=1W
RU3091M
型号：
RU3091M
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
场效应管(单) PDFN5060 N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=28A P=4.2W
RU1H35R
型号：
RU1H35R
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
RUH30120M-C
型号：
RUH30120M-C
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
RU20P4C
型号：
RU20P4C
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
RU6050L
型号：
RU6050L
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W 类型：N沟道
RU30120S
型号：
RU30120S
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
RU3090M
型号：
RU3090M
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：98A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：66W(Tc) 类型：N沟道
RU1H190S
型号：
RU1H190S
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
RU75N08S
型号：
RU75N08S
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：176W(Tc) 类型：N沟道
RUH4040M2
型号：
RUH4040M2
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
RU8590S
型号：
RU8590S
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W(Tc) 类型：N沟道
RU6055L
型号：
RU6055L
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W 类型：N沟道
RUH30150M
型号：
RUH30150M
品牌：
锐骏
产品分类：
射频用FET/MOSFET
描述：
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=44A P=4.2W
RU6888S-R
型号：
RU6888S-R
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
RU304B
型号：
RU304B
品牌：
锐骏
产品分类：
其他晶体管
描述：
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道
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