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NTE

NTE于1979年在新泽西成立，公司产品有交直流适配器,插头/插座,灯管,电缆和电线,电容,断路器,测试夹头和测试引线,风扇,保险丝,热缩管,发光二极管和LED、光电元件、电位器和微调器,继电器和连接器,电阻、焊锡丝、开关、接线端子,端子和连接器,电线。

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Description: The NTE488 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for industrial use RF power Amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: • High Power Gain: Gpe ≥ 10.7dB @ VCC = 13.5V, PO = 3.5W, f = 175MHz • TO39 Metal Sealed Package for High Reliability • Emitter Electrode is Connected Electrically to the Case Application: 1 to 3 Watt Power Amplifiers in VHF Band Mobile Radio Applications.

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Description: The NTE2332 Darlington transistor is especially well suited for use in switching of L load motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, etc. Features: High DC Current Gain Large Current Capacity and Wide ASO Contains 60 ±10V Avalanche Diode Between Collector and Base Uniformity in Collector–to–Base Breakdown Voltage Due to Adoption of Accurate Impurity Diffusion Process 25mJ Reverse Energy Rating Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, unless otherwise specified) Collector to Base Voltage, VCBO, 60 . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . ±10V Collector to Emitter Voltage, VCEO, 60 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10V Emitter to Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A Peak Collector Current, icp . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . 4A Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4A Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . .. –55° to +150°C

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Description: The NTE64 is a silicon NPN high frequency transistor designed primarily for use in high–gain, low noise small–signal amplifiers and applications requiring fast switching times. Features: High Current Gain–Bandwidth Product: fT = 4.5GHz Typ @ IC = 15mA Low Noise Figure: NF = 2dB Typ @ f = 1GHz High Power Gain: Gpe = 10dB Min @ f = 1GHz Third Order Intercept: +23dBm Typ Absolute Maximum Ratings: Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30mA Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . 0.375W Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3mW/°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +150°C Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . 300°C/W

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Trans Darlington Transistor 120V 16A 3-Pin TO3PML

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Description: The NTE75 is a silicon NPN transistor in a TO111 type stud mount package that provides a unique combination of low saturation voltage, high gain, and fast switching. This device is ideally suited for power supply, pulse amplifier, and similar high efficiency power switching applications. Features: • Fast Switching: tr, tf = 300ns (Max) • Low Saturation Voltage: 250mV max @ 1A

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Description: The NTE486 is a silicon NPN high frequency RF transistor in a TO39 type package designed for use in 12.5V UHF large–signal applications required in industrial equipment. Features: • Specified 12.5V, 470MHz Characteristics: Output Power = 0.75W Minimum Gain = 8dB Effeciency = 50% • S Parameter Data from 100MHz to 1GHz

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Description: The NTE70 is a silicon NPN transistor in a TO63 type case utilizing C2R processing which describes a manufacturing technology that provides surface stabilization for high voltage operation and enhances long term reliability.

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